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飞思卡尔半导体公司
功耗
5
功耗
表5.功耗（P
D
)
裸片修订
0
总线模式
1:1
中央处理器
频率
50兆赫
66兆赫
2:1
66兆赫
80兆赫
典型
1
110
150
140
170
210
260
最大
2
140
180
160
200
250
320
单位
mW
mW
mW
mW
mW
mW
表5示出了功耗的信息。该模式是1： 1，其中， CPU和总线速度是相等的，并且
2 ： 1模式，其中CPU频率的两倍总线速度。
飞思卡尔半导体公司...
100兆赫
133兆赫
1
2
在VDDL和VDDSYN典型功耗为1.8 V.和VDDH为3.3 V.
在VDDL和VDDSYN最大功耗为1.9 V ，而VDDH为3.465 V.
记
在表5中的值表示基于VDDL功耗和
不包括I / O功耗超过VDDH 。 I / O电源
耗散的应用由于缓冲器的电流变化很大，
取决于外部电路。该VDDSYN电源
耗散可以忽略不计。
6
DC特性
表6.直流电气连接特定的阳离子
特征
符号
VDDL （核心）
VDDH （ I / O）
VDDSYN
1
区别
VDDL到VDDSYN
民
1.7
3.135
1.7
—
2.0
最大
1.9
3.465
1.9
100
3.465
单位
V
V
V
mV
V
表6示出了DC电气特性为MPC866 / 859 。
工作电压
输入高电压（除EXTAL和所有输入
EXTCLK ）
2
VIH
10
MPC866 / 859硬件特定网络阳离子
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