摩托罗拉
半导体技术资料
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由MRF8372 / D
射频线
NPN硅
低RF功率晶体管
主要设计用于800 MHz的宽带大信号预驱动阶段
和UHF频率范围内。
指定@ 12.5 V， 870 MHz的特点
输出功率= 750毫瓦
最小增益= 8.0分贝
效率60 ％ （典型值）
先进设备，最先进的技术
精线几何
黄金顶部金属和电线
氮化硅钝化
离子注入砷发射器
电路板摄影大师可应要求提供联系
RF战术营销在亚利桑那州凤凰城。
为了MRF8372在磁带和卷轴包装加后缀：
R1后缀= 500单位每卷
R2的后缀= 2500单位每卷
CASE 751-05 ，风格1
SORF （ SO - 8 ）
MRF8372R1 ， R2
750毫瓦， 870兆赫
射频低功耗
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TC = 75 ° C（ 1 ）
减免上述75℃
存储温度范围
最高结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
TJMAX
符号
R
θJC
价值
16
36
4.0
200
1.67
22.2
- 55 + 150
150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
最大
45
单位
° C / W
器件标识
MRF8372 = 8372
注意：
1.外壳温度测量集电极引线紧邻包装的主体。
（替换MRF837 / D ）
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉1997年公司
MRF8372R1 ， R2
1
