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LG的Semicon
刷新
自动刷新：
所有银行必须在预充电
在执行一个自动刷新命令。自从
自动刷新命令更新内部
对付每次执行，并确定时间
银行和ROW地址是
刷新，外部地址规格不
所需。刷新周期是4096次/ 64毫秒。
（ 4096个循环都需要刷新所有的ROW
地址）的输出缓冲器为高阻
后自动刷新启动。另外，由于一
预充电已通过内部完成
自动刷新操作后，附加
预充电操作的预充电命令
不是必需的。
自刷新：
执行自刷新命令时，自后
刷新操作继续，而CKE举行
低。在自刷新操作时，所有的ROW
地址由内部刷新刷新
定时器。一种自刷新是由自终止
刷新exit命令。如果你使用分布式
自动刷新模式与15.6us在正常间隔
读/写周期，自动刷新应该执行
内从15.6退出美国后，立即和
在进入自刷新模式。如果你使用
地址刷新或爆裂自动刷新模式
正常的读/写周期， 4096个循环
分布式自动刷新间隔15.6us
应在64毫秒立即执行
从退出后进入自前
刷新模式。
OTHERS
掉电模式：
同步DRAM进入掉电
当CKE进入IDLE状态低模式。在
掉电模式下，功耗为
通过取消激活输入初始抑制
电路。掉电模式持续而CKE
保持为低。此外，通过设置CKE为高，
同步DRAM的功率退出
断模式，并命令输入从启用
下一个周期。在此模式下，内部刷新
不执行。
GM72V66841CT/CLT
时钟暂停（有源低功耗模式） ：
通过驱动CKE为低一个在银行主动或
读/写操作时，同步DRAM
时钟进入挂起模式。在时钟
暂停模式，外部输入信号被忽略
和内部状态被保持。当CKE
被驱动为高电平时，同步DRAM
终止时时钟挂起模式，命令
输入是从下一循环启用。有关详细信息，
参考"CKE真相Table" 。
上电顺序：
在上电顺序，在DQM和
CKE必须被设置为高。当200
§
已经过去
接通电源后，所有银行都必须进行预充电
使用预充电命令。后
t
RP
延迟，
设置8个以上的自动刷新命令。并设置
模式寄存器设置命令初始化模式
注册。
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