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LG的Semicon
ignore命令[ DESL ] ：
当这个命令
设置（ CS为高电平） ，同步DRAM
忽略命令输入的时钟。不过，
内部状态被保持。
无操作[ NOP ] ：
此命令是不是
执行命令。但是，内部
行动仍在继续。
在整页[ BST ]连拍站：
这
命令停止全页突发操作（爆
长度=整版（ 512 ; GM72V66841CT / CLT ）
并且是非法的，否则。全页突发继续
直到这个命令被输入。当数据
输入/输出完成了数据的完整页面，它
自动返回到开始地址，并
输入/输出被重复执行。
列地址选通和读命令
[阅读] ：
此命令启动一个读操作。
此外，突发读取的起始地址是
由列地址确定
AY0
到AY8 ; GM72V66841CT / CLT ）和
银行选择地址（ A12 / A13 ） 。后读出的
操作中，输出缓冲器变成高阻抗。
阅读与自动预充电[读取] ：
这
命令自动执行预充电
读取的一个突发长度的突发后的操作
1 ，2，4或8，当突发长度是整页，
这个命令是非法的。
列地址选通和写命令
[ WRIT ] ：
此命令启动写操作。
当选择猝发写模式中，列
地址（ AY0到AY8 ; GM72V66841CT / CLT ）
而银行选择地址（ A12 / A13 ）成为
猝发写起始地址。当单个写
模式被选择时，数据只写入到
由列地址（ AY0到指定位置
AY8 ; GM72V66841CT / CLT）和银行选择
地址（ A12 / A13 ） 。
GM72V66841CT/CLT
写带自动预充电[ WRIT A] ：
这
命令自动执行预充电
一个脉冲串之后的操作写为1 ， 2的长度
4或8，或经过一个单一的写操作。当
突发长度为整页，这个命令是非法的。
行地址选通和银行激活
[ ACTV ] ：
此命令激活该行认为
通过A12 / A13 （BS）的选择和确定
行地址（ AX0到AX11 ） 。如果A12为低，并
如果A13为低，银行0被激活。如果A12为高
而A13是低，银行1被激活。如果是A12
低， A13为高，银行2被激活。如果A12
是高和A13是高，银行3被激活。
预充电选择银行[二手] ：
这
命令启动预充电操作为银行
通过A12 / A13选择。如果A12为低，如果是A13
低，银行选择0 。如果A12是高和A13
是低，银行1被选中。如果A12为低，并
A13是高，银行2被选中。如果A12为高
而A13为高，银行3被选中。
预充电所有银行[ PALL ] ：
此命令
开始对所有银行预充电操作。
刷新[ REF / SELF ] ：
此命令启动
刷新操作。有两种类型的刷新的
操作中， 1是自动刷新，而另一个是
自刷新。有关详细信息，请参阅CKE真相
表款。
模式寄存器集[黄] ：
同步DRAM
有一个模式寄存器定义它如何运作。
该模式寄存器由地址管脚指定
（ A0至A11）的模式寄存器设置循环。为
详细信息，请参阅模式寄存器的配置。
接通电源后，在模式寄存器中的内容
是不确定的，执行模式寄存器集
命令来设置模式寄存器。
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