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GM72V66841CT/CLT
模式寄存器配置
该模式寄存器由输入到设置
模式寄存器中的地址引脚（ A0至A13 ）
集循环。该模式寄存器由五个
部分，其中每一个被分配给处理
销。
A13 ， A12 ， A11 ， A10 ， A9 ， A8 ： （操作码） ：
同步DRAM具有两种类型的写
模式。一种是突发写入模式，并且
另一种是单写模式。这些位指定
写模式。
突发读取和突发写：
对于指定的脉冲串进行猝发写
从列地址长度的起始指定的
在写周期。
突发读取和单写：
数据只写入到列地址
在写入周期中指定，而不管
突发长度。
A7:
保持此位低的模式寄存器设置循环。
A6 ， A5 ， A4 ： （ LMODE ） ：
这些引脚指定CAS延迟。
A3 ： （ BT ） ：
突发类型指定。当全页突发是
执行的，只有"sequential"可以被选择。
A2 ，A1，A0 ： （BL） ：
这些引脚指定的突发长度。
A13 A12 A11 A10 A9
操作码
A8
A7
0
A6
A5
LMODE
A4
A3
BT
A2
A1
BL
A0
A6 A5 A4 CAS延迟
0
0
0
0
1
0
0
1
1
X
0
1
0
1
X
R
R
2
3
R
A3突发类型
A2 A1 A0
0顺序
1
交错
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
突发长度
BT = 0 BT = 1
1
2
4
8
R
R
R
F.P.
1
2
4
8
R
R
R
R
A13 A12 A11 A10 A9
0
X
X
X
0
X
X
X
0
X
X
X
0
X
X
X
0
0
1
1
A8
0
1
0
1
写模式
突发读取和写入突发
R
突发读取和单写
R
1
1
F.P. =全页
（ 512 ： GM72V66841CT / CLT ）
R被保留（抑制）
X： 0或1
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