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LG的Semicon
读周期/写周期
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13
GM72V66841CT/CLT
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18
19
20
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
地址
DQM ，
DQMU / DQML
R：A
V
IH
C：一个
R： B
C： B
.
C： B
..
C： B
DQ （输出）
DQ （输入）
Bank0
活跃
Bank0
读
Bank3
活跃
a
a+1 a+2 a+3
b
b+1 b+2 b+3
.
b
.
b+1
.. ..
..
..
b b+1 b+2 b+3
高-Z
区块3的Bank0
阅读预充电
Bank3
读
Bank3
读
Bank3
预充电
读周期
RAS -CAS延迟= 3
CAS延时= 3
突发长度= 4
= VIH或VIL
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
地址
DQM ，
DQMU / DQML
R：A
C：一个
R： B
C： B
.
C： B
..
C： B
V
IH
DQ （输出）
DQ （输入）
Bank0
活跃
a
Bank0
写
a+1 a+2 a+3
Bank3
活跃
b
Bank3
写
高-Z
b+1 b+2 b+3
Bank0
预充电
.
b
.
b+1
.. ..
..
..
b b+1 b+2 b+3
Bank3
预充电
Bank3
写
Bank3
写
写周期
RAS -CAS延迟= 3
CAS延时= 3
突发长度= 4
= VIH或VIL
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