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LG的Semicon
写入写命令区间（不同银行）
CLK
GM72V66841CT/CLT
命令
地址
(A0-A11)
ACTV
ACTV
WRIT
WRIT
行0
第1行
C
olumn一
C
olumn B
BS(A12/A13)
DIN
在A0
在B0
在B1
在B2
在B3
Bank0
活跃
区块3的Bank0
主动写
Bank3
写
突发写入模式
突发长度= 4
读命令写命令的间隔：
1.
同一家银行，同样的行地址：
当写命令被在同一执行
同一行的作为前述的ROW地址
读到写命令间隔（ 1 ）
CLK
读
WRIT
读命令，写命令可
不小于1的时间间隔后进行
周期。然而， DQM ， DQMU / DQML必须
设置高阻抗，使得输出缓冲器变
高阻输入数据之前。
命令
DQM ，
DQMU
/ DQML
CL=2
CL=3
DIN
在B0
高-Z
在B1
在B2
在B3
DOUT
突发长度= 4
突发写
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