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LG的Semicon
GM72V66841CT/CLT
功能真值表(续)
当前
状态
刷新
(自动刷新)
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS
X
H
H
H
H
L
L
L
L
CAS
X
H
H
L
L
H
H
L
L
WE
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
X
X
地址
命令
DESL
NOP
BST
手术
后进入IDLE
后进入IDLE
后进入IDLE
t
RC
t
RC
t
RC
BA , CA, A10读/读一非法
BA , CA, A10 WRIT /令状内
BA , RA
BA , A10
X
模式
ACTV
PRE , PALL
REF ,自
太太
违法
违法
违法
违法
违法
*注:1. H: V
IH
, L: V
IL
X: V
IH
或V
IL
.
其他组合是禁止。
2.一种区间
t
RWL
需要的最终有效数据输入和预充电命令间。
3.如果
t
RRD
是不是满意,这个操作是违法的。
4. BA :银行地址, RA :行地址, CA:列地址
从[预充电]
以[ DESL ] , [ NOP ]或[ BST ] :
当这些
命令被执行时,该同步
DRAM后进入IDLE状态
t
RP
从完成预充电的经历
从[IDLE ]
以[ DESL ] , [ NOP ] , [ BST ] , [ PRE ]或
[ PALL ] :
这些命令导致无
操作。
以[ ACTV ] :
由指定的银行
地址引脚和ROW地址是
激活。
[参考] , [自拍] :
同步
DRAM进入刷新模式(自动刷新或
自刷新) 。
为[黄] :
同步DRAM进入
该模式寄存器设定周期。
从[ ROW ACTIVE ]
以[ DESL ] , [ NOP ]或[ BST ] :
这些
命令产生任何操作。
以[读取] , [读取] :
读操作
开始。的(然而,一个间隔
t
RCD
is
必需的。 )
以[ WRIT ] , [ WRIT A] :
写操作
开始。的(然而,一个间隔
t
RCD
is
必需的。 )
以[ ACTV ] :
此命令使
其他银行的活跃。的(然而,一个间隔
t
RRD
是必需的。 )企图使
在当前活跃的银行活动的结果
非法命令。
以[上一页] [ PALL ] :
这些命令集
同步DRAM预充电
模式。的(然而,一个间隔
t
RAS
is
必需的。 )
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