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摹-LINK
GLT5640AL16
4M ×16的CMOS同步动态RAM
2004年2月（ Rev.0.1 ）
10.2.2预充电终止在写周期
在写周期中，突发写操作是通过一个预充电命令终止。
当发出预充电命令，在猝发写操作被终止，并且预充电开始。
同一家银行可以再次吨后激活
RP
从预充电命令。该DQM必须高屏蔽无效的数据研究。
在写周期，之前的预充电命令写入的写入的数据将被正确保存。但是，无效数据
可被写入在相同的时钟作为预充电命令。为了防止这种情况发生， DQM要高，在相同
时钟作为预充电命令。这掩盖了无效数据。
预充电终止在写周期
T0
CLK
C
OMMAND
CAS延时= 2
DQM
DQ
D
0
写
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
突发lengh中= X
T8
PRE
法案
D1
D2
D3
D
4
t
RP
嗨 - z
命令
CASlatency = 3
DQM
写
PRE
法案
DQ
D0
D1
D2
D
3
D4
嗨 - z
t
RP
G- Link技术公司，台湾
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电话： 886-2-27968078
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