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摹-LINK
GLT5640AL16
4M ×16的CMOS同步动态RAM
2004年2月（ Rev.0.1 ）
7.Precharge
预充电命令可以随时吨后置
RAS （分钟）
是满意的。
不久之后预充电命令被断言，则进行预充电操作和同步DRAM进入
空闲状态吨后
RP （分钟）
是满意的。参数t
RP
是执行预充电所需的时间。
该预充电命令可以断言，而不在突发丢失任何数据在一个读周期的最早定时如下。
T0
CLK
命令
读
T1
T2
T3
T4
T5
T6
突发lengh中= 4
T7
PRE
CAS延时= 2
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
嗨 - z
命令
CAS延时= 3
DQ
读
PRE
嗨 - z
Q0
Q1
Q2
Q3
(t
为r
纳）
为了正确地写入所有数据到存储单元中，异步参数“ tDPL ”必须满足。该tDPL （分钟）
规范定义了一个预充电命令可以断言的最早时间。时钟的最小数目可以是
除以tDPL （分钟）与时钟周期时间计算出来的。
总之，预充电命令可以断言相对于参考时钟指示的最后一个数据字是有效的。
在下面的表中，减去装置的基准时钟之前;再加意味着基准时间后。
CAS
潜伏期
2
3
读
-1
-2
写
+ t
DPL
（分）
+
tDPL
（分）
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