NCP5351
4同步降压
功率MOSFET驱动器
的NCP5351是优化的，以驱动双MOSFET的栅极驱动器
高边和低边功率MOSFET的一门
同步降压转换器。该NCP5351是一个很好的
同伴多相控制器不具有集成门
驱动程序，如安森美半导体的CS5323 ， CS5305和CS5307 。
这种架构提供了一个电源设计人员能够灵活地
定位接近MOSFET的栅极驱动器。
在4.0的驱动能力，使NCP5351适用于最小化
开关损耗的MOSFET中具有较大的输入电容。优化
内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关
通过防止两个MOSFET同时导通损耗。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳MOSFET的漏极
电压高达25V。两个门输出可以驱动低，
电源电流降低至小于25
毫安，
通过施加低逻辑
水平使能（EN ）引脚。欠压锁定功能
确保两个驱动器输出为低电平时，电源电压是
低，热关断功能提供了与IC
过热保护。
该NCP5351引脚对引脚与SC1205兼容，
可在一个标准的SO- 8封装，热增强型
QFN10.
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
1
QFN10
MN后缀
CASE 485C
A
L
Y
W
10
5351
ALYW
1
5351
ALYW
1
4.0 A峰值驱动电流
上升和下降时间< 15 ns典型为6000 pF的
从输入传输延迟到输出< 20纳秒
自适应非重叠时间优化的大功率MOSFET
浮顶驱可容纳应用程序多达25 V
欠压锁定，以防止切换时的输入
电压是低
热关断保护，防止过热
< 1.0毫安静态电流 - 已启用
25
mA
静态电流 - 禁用
内部TG至DRN下拉电阻防止高压电源诱导
开启高边MOSFET
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
DRN
TG
BST
CO
QFN10
1
DRN
TG
N / C
BST
CO
10
GND
BG
N / C
V
S
EN
1
SO8
8
保护地
BG
V
S
EN
订购信息
设备
NCP5351D
NCP5351DR2
NCP5351MNR2
包
SO8
SO8
QFN10
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 9牧师
出版订单号：
NCP5351/D
