飞利浦半导体
产品数据
先进的DDR存储器终端电源
在外部参考
NE57810
描述
该NE57810旨在提供电源端接的
双倍数据速率（ DDR ） SDRAM内存总线。它显著
减少零件数量，电路板空间和总体系统成本
相比于以前的解决方案。
该NE57810 DDR终端稳压器维持输出
电压（DDR参考母线电压），即二分之一，该RAM中的
电源电压。它能够提供高达
±3.5
一种持续
周期。过电流限制保护NE57810从浪涌
电流在启动和过热关断保护
设备在极端的温度情况。
的SPAK -5（ SOT756 ）包是用于柔性热鲁棒
散热设计。因为NE57810是线性调节器，无
外部电感器和开关场效应管是必要的。快速响应
对负载变化降低了对输出电容。
特点
快速瞬态响应时间
过热保护
过电流保护
商用（ 0
°C
+70
°C)
温度范围
外部元件需求减少
（开关场效应管，电感，电容去耦）
应用
内部分频器保持在终止电压
1
/
2
内存
电源电压
台式微型计算机系统
工作站
服务器
游戏机
机顶盒
嵌入式系统
数字视频录像机
引用了其它存储器和控制组件
为灵活的应用程序可选外部参考电压
兼容DDR -I （V
DD
= 2.5 V）或DDR - II （V
DD
= 1.8 V)
SDRAM系统
简化的系统框图
DIMM0
DIMM1
REFOUT
0.1
F
EXTREFIN
（可选）
控制&地址
V
TT
内存
调节器
NE57810
数据
100
F
终止
动力
R
S
20
（典型值）
R
T
27
（典型值）
SL01669
图1.简化的系统框图。
2003年09月12
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