位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第190页 > NCP802SAN5T1 > NCP802SAN5T1 PDF资料 > NCP802SAN5T1 PDF资料2第18页
NCP802
欠压检测
欠压检测器（ VD2 ）监测VCELL
引脚电压。当V电池电压穿越
从高值到欠压门限（ VDET2 ）
值低于VDET2 ， VD2检测欠压
条件和外部，排放控制， N沟道
由MOSFET驱动DO引脚到低电平关闭。
溶解氧的低电平被设置为GND和高的水平以
VCELL 。
要重置DO引脚为高的水平，就必须连接
充电器对电池充电。而V电池电压
仍然VDET2下，充电电流可以流过
外部放电控制MOSFET的寄生二极管。
一旦V电池电压上升到高于VDET2时， NCP802
驱动器做高。连接充电器给电池组
驱动DO水平高时瞬间的VCELL
电压比VDET2更高。 VD2没有滞后。
经过VD2检测到欠压条件下，
NCP802进入低电源电流，待机模式。
最大待机电流等于0.1
mA
在同等VCELL
2.0 V的内部上拉禁用所有的设备功能
从而大大降低了静态电流。当
充电器连接到电池，它拉的小的水平
电流从P-销。这克服了内部上拉
并允许NCP802复位。
有内部的固定的延迟时间为两个检测
和释放从欠压状态。如果故障或
重设条件比他们各自的延迟时间更短，
该NCP802忽略该条件，并保持在其前
状态。
放电过电流/短路检测
短路检测仪已经启动;拆除的原因
活化打开放电MOSFET重新打开。这
的发生是因为RSHORT拉P-针，电压电平
下降到GND端子，电压电平。该NCP802内部
在一个正常，无故障，断开状态RSHORT 。该
NCP802仅当它检测到过量的连接RSHORT
放电电流或短路故障。换句话说，VD3
自动从放电过电流释放，
当用户移除负载短路故障。
过量放电电流的输出延迟时间
检测比欠压延时时间设置更短
检测。因此，如果V电池电压低于
在放电过电流或短路时VDET2
故障时， NCP802首先检测当前故障。这
防止大电流放电故障，从激活
欠压检测器和把NCP802置于待机
模式。待机模式，需要充电器重置
NCP802 ，而放电过电流和短路
故障只要求在故障被清除。
过量充电电流检测
在放电过电流检测器（ VD3 ）和
短路检测功能可以控制时，
MOSFET的接通。当P-脚电压低于
短路检测电压（ VSHORT ）及以上的
放电过电流阈值（ VDET3 ） ， VD3
工作。当P-脚电压上升高于
VSHORT时， NCP802使短路检测器。
当任一探测器触发时， NCP802关闭的
外部放电控制N沟道， MOSFET由
驾驶DO引脚为低的水平。
在放电过电流的输出延迟时间
探测器内部固定。如果P-针，电压电平
从内VSHORT和VDET3之间的电平恢复
延迟时间，放电MOSFET保持在较高的状态。
从放电过电流脱扣器的输出延迟时间
检测通常是1.2毫秒。当短路检测器
激活后的一个延迟时间DO转换到其低状态
大约400
女士。
有一个集成的下拉电阻（ RSHORT ）
之间连接的P和GND管脚。 VD3或之后
当电池组的充电和放电，也
可能的话， VD4感应P-引脚电压。例如，如果
用户将电池连接到一个不恰当的充电器，过量
电流可以流过。然后，将P-电压低于
充电过电流阈值（ VDET4 ） 。接着，输出
的CO变低。这防止了过量的电流流进
该电路通过关闭外部MOSFET。
过量的充电电流检测器的输出延迟为
内部固定。如果故障状况的延迟时间内
窗口，探测器将不会感觉到它和MOSFET将
不改变状态。 VD4可以通过断开发布
充电器和施加载荷。
延时缩短功能
的过充电的输出延迟时间，过放电，
过量的放电电流，充电过电流，并且
从这些检测方式释放可以做得比短
通过迫使V电池电压到DS预先设定的值
引脚。当一个强制规定的中间范围的电压
DS端子，输出延时电路被禁用。
因此，在这种条件下，当过充电或过量
充电电流进行检测，输出电平可检测
无需等待的延迟时间。
1.3兆瓦的下拉电阻连接DS之间
引脚与GND内部。对于正常操作， DS端子
应该是没有任何联系的状态。
零电池电压充电
如果充电器的电压等于或高于零伏
充电，最低电压（ VST）的NCP802驱动CO
引脚为高电平。因此，它允许充电电池作为低
如零伏。
http://onsemi.com
18
