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NCP802
I
VCELL
K
VCELL
P
DO
A
A
V
V
P
DO
GND
GND
J
VCELL
DO
A
L
VCELL
A
P
V
P
GND
GND
M
VCELL
V
V
P
CO
GND
DO
图43.测试电路
过压检测
过电压检测器（ VD1 ）监测VCELL销
电压。当V电池电压超过过压
从低值到一个值检测器的阈值（ VDET1 ）
比VDET1高， VD1检测到过度充电
条件。该NCP802然后关闭外部，充
控制N沟道MOSFET被驱动CO端子其
低的水平。一个电平转换器，在缓存驱动器整合为
CO端子，驱动CO端子的低水平的P销
电压，这是连接到所述电荷的源
控制MOSFET的由电阻。 CO端子的高度
被驱动到V电池电压的CMOS缓冲器。
要重置CO端子为高的水平，在电压
VCELL引脚必须下降到一个较低的水平比VDET1 。该
电池电压的过压后检测不复位
低于一定的滞后电压。该NCP802不会
从过压故障，只要一个充电器重置
连接到电池。相反，过量放电
电流检测器（ VD3 ）信号的集成电路，从一个复位
过压条件通过在检测负荷而
过压状态。当P-端子电压
等于或大于比所述放电过电流
在过压故障检测阈值（ VDET3 ）时，
NCP802检测流过充电的电压降
MOSFET的体二极管引起的负载电流。然后，它
从重置过电压状态。
有内部的固定的延迟时间为两个检测
和释放的过压条件。如果故障或
重设条件比他们各自的延迟时间更短，
该NCP802忽略该条件，并保持在其前
状态。
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