飞思卡尔半导体公司
功耗基准测试
M_FDBA
M_FCBA
M_FDCH
EQU
EQU
EQU
$FFFFB6
$FFFFB7
$FFFFB8
; EFCOP数据库地址
; EFCOP系数基址
; EFCOP抽取/注册通道
;------------------------------------------------------------------------
;
;
等同于锁相环（ PLL）的
;
;------------------------------------------------------------------------
;
寄存器的地址PLL
; PLL控制寄存器
M_PCTL EQU $ FFFFFD
;
PLL控制寄存器
飞思卡尔半导体公司...
M_MF EQU $ FFF ：倍增因子的位掩码（ MF0 - MF11 ）
M_DF EQU 7000美元;分频系数位掩码（ DF0 - DF2 ）
M_XTLR EQU 15 ; XTAL范围选择位
M_XTLD EQU 16 ; XTAL禁用位
M_PSTP EQU 17 ;停止处理状态位
M_PEN EQU 18
; PLL使能位
M_PCOD EQU 19 ; PLL时钟输出禁止位
M_PD EQU $ F00000 ;预分频器因子位掩码（ PD0 - PD3 ）
;------------------------------------------------------------------------
;
;
等同于BIU
;
;------------------------------------------------------------------------
;
寄存器的地址BIU
M_BCR EQU $ FFFFFB ;总线控制寄存器
M_DCR EQU $ FFFFFA ; DRAM控制寄存器
M_AAR0 EQU $ FFFFF9 ;地址属性寄存器
M_AAR1 EQU $ FFFFF8 ;地址属性寄存器
M_AAR2 EQU $ FFFFF7 ;地址属性寄存器
M_AAR3 EQU $ FFFFF6 ;地址属性寄存器
M_IDR EQU $ FFFFF5 ; ID寄存器
;
总线控制寄存器
0
1
2
3
M_BA0W EQU $ 1F ;区0等待控制面膜（ BA0W0 - BA0W4 ）
M_BA1W EQU $ 3E0 ; 1区等待控制面膜（ BA1W0 - BA14 ）
M_BA2W EQU $ 1C00 ; 2区等待控制面膜（ BA2W0 - BA2W2 ）
M_BA3W EQU $ E000 ; 3区等待控制面膜（ BA3W0 - BA3W3 ）
M_BDFW EQU $ 1F0000 ;缺省区域等待控制面膜（ BDFW0 - BDFW4 ）
M_BBS EQU 21
;总线状态
M_BLH EQU 22
;总线锁定保持
M_BRH EQU 23
;总线请求保留
;
DRAM控制寄存器
M_BCW EQU 3美元
;在页面等待状态的位掩码（ BCW0 - BCW1 ）
M_BRW EQU $ C
;占网页等待状态的位掩码（ BRW0 - BRW1 ）
M_BPS EQU 300美元; DRAM页面大小位掩码（ BPS0 - BPS1 ）
M_BPLE EQU 11 ;页面逻辑启用
M_BME EQU 12
;主控权启用
M_BRE EQU 13
;刷新启用
M_BSTR EQU 14 ;软件触发刷新
M_BRF EQU $ 7F8000 ;刷新率位掩码（ BRF0 - BRF7 ）
M_BRP EQU 23
;刷新预分频器
;
地址属性寄存器
M_BAT EQU 3美元
;分机。访问类型和引脚默认值。位掩码（ BAT0 - BAT1 ）
M_BAAP EQU 2
;地址属性引脚极性
M_BPEN EQU 3
;节目空间启用
M_BXEN EQU 4
; X数据空间启用
M_BYEN EQU 5
; Y数据空间启用
M_BAM EQU 6
;地址木星
M_BPAC EQU 7
;包装启用
M_BNC EQU $ F00 ;地址位的数量比较面膜（ BNC0 - BNC3 ）
M_BAC EQU $ FFF000 ;地址比较位掩码（ BAC0 - BAC11 ）
A-10
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