DS1848
内存位置
LOCATION NAME OF
E2h
温度MSB
位置功能
与AEN = 0 ，用户可以在一个测试操作
模式。从制成地址更新
温度传感器将停止。用户可以加载
内存位置插入E4H和验证
是预期中的单元F0h和为Fih值
用户定义的值。
该字节包含13位2S的MSB
从输出补体温度
温度传感器。
S 2
7
2
6
2
5
2
4
2
3
2
2
2
1
该字节包含的LSB的13位2S
从输出补体温度
温度传感器。
2
0
2
-1
2
-2
2
-3
2
-4
X X X
例如温度读数，请参考表
2.
计算，目前电阻地址（ 0H - 47H ） 。
在这个位置上的用户定义的电阻设置在
各自的查找表将被加载到
F0H和为Fih设置两个电阻。
通用用户存储器（ SRAM ）
内部或外部设备的地址选择。这
字节允许用户使用外部地址
销或内部寄存器的位置，以确定
设备地址。
A2 A1 A0
ENB
E3h
温度LSB
E4h
地址指针
E5H到E6H
E7h
用户内存
地址选择
ENB = 0和外部A2，A1和A0接地，
设备将使用内部地址位（A2， A1和A0）
该寄存器
ENB = 1，外部A2，A1和A0 =任意设定，
设备将使用外部地址引脚
默认设置为01H 。该器件采用外部
销，以确定其地址。
通用用户存储器（ SRAM ）
在用户控制的设置模式，该块
包含电阻0的设置。
在用户控制的设置模式，该块
包含电阻器1设置。
通用用户存储器（ SRAM ）
E8H到EFH
F0h
F1h
F2H为FFH
用户内存
电阻器0设定
电阻器设定1
用户内存
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