DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
测试电路
+5 V
+15 V
DV
O
V
O
V
O
C
L
10 nF的
V-
IN
X
关闭
ON
关闭
新产品
R
g
V
L
S
IN
V+
D
3V
GND
Q =
DV
O
乘C
L
- 15 V
图5中。
电荷注入
+5 V
C
V
L
V
S
R
g
= 50
W
S
1
+15 V
C
+5 V
V+
D
C
V
L
50
W
V
S
R
g
= 50
W
0V, 2.4 V
V-
C
IN
R
L
S
V+
+15 V
C
D
V
O
V
O
S
2
R
L
0.8 V
IN
GND
GND
V-
C
- 15 V
X
TALK
隔离= 20日志
C =射频旁路
V
O
V
S
- 15 V
V
O
V
S
关断隔离= 20日志
图6 。
串扰（ DG419B ）
图7 。
关断隔离
+5 V
C
V
L
V
S
R
g
= 50
W
0V, 2.4 V
IN
GND
S
+15 V
C
V+
D
V
O
R
L
V-
C
- 15 V
网络连接gure 8 。
插入损耗
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8
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
