DG417B/418B/419B
新产品
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关闭
漏电流
g
I
D（ FF）
D（关闭）
V = 16 5 V V - = - 16.5 V
16 5
V+ 16.5 V,
V
D
=
#15.5
V
V
S
=
"15.5
V
DG417B
DG418B
DG419B
DG417B
DG418B
DG419B
I
S
= - 10毫安，V
D
=
"12.5
V
V+ = 13.5 V, V - = - 13.5 V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
15
- 0.1
- 0.1
- 0.1
- 0.4
- 0.4
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.75
- 60
- 0.4
- 40
- 0.75
- 60
- 15
15
25
34
0.25
20
0.25
20
0.75
60
0.4
40
0.75
60
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.75
- 12
- 0.4
- 10
- 0.75
- 12
- 15
15
25
29
0.25
5
0.25
5
0.75
12
0.4
10
0.75
12
nA
V
W
Vishay Siliconix公司
后缀
- 55至125℃的
后缀
- 4085 ℃下
符号
V+ = 15 V, V - = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
通道上
漏电流
I
D( )
D（上）
V+ = 16.5 V, V - = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
"15.5
V
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
I
IL
I
IH
满
满
- 0.5
- 0.5
0.5
0.5
- 0.5
- 0.5
0.5
0.5
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
转换时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
流掉电容
通道上
电容
t
ON
t
关闭
t
TRANS
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
DG419B
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S
=
"10
V
见开关时间
测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
=
"10
V, V
S2
=
#10
V
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
=
"10
V
R
L
= 50
W,
C
L
= 5 NF， F = 1 MHz的
DG419B
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
DG419B
DG419B
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
62
53
60
89
106
80
88
87
96
3
3
pC
dB
89
99
80
86
87
93
ns
16
4
- 86
- 87
12
12
C
L
= 10nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
pF
50
57
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 16 5 V V - = - 16 5 V
16.5 V,
16.5
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
0.001
- 0.000
1
-1
-5
1
5
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
mA
1
5
地电流
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
www.vishay.com
3
