飞利浦半导体
产品数据表
8位I
2
与中断C和SMBus的I / O端口
PCA9554/PCA9554A
处理
输入和输出保护，防止静电放电在正常处理。然而，为了完全安全的，最好是取
适当的预防措施，以处理MOS器件。建议可在数据手册IC24 “处理下找到
MOS器件“ 。
DC特性
符号
耗材
V
DD
I
DD
I
STBL
I
STBH
V
POR
V
IL
V
IH
I
OL
I
L
C
I
I / O的
V
IL
V
IH
电源电压
电源电流
待机电流
待机电流
V
DD
= 2.3 V至5.5 V ; V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= –40
°C
+85
°C;
除非另有规定ED 。
参数
条件
民
2.3
操作模式; V
DD
= 5.5 V ;无负载;
f
SCL
= 100千赫
待机模式; V
DD
= 5.5 V ;无负载;
V
I
= V
SS
; f
SCL
= 0千赫; I / O =输入
待机模式; V
DD
= 5.5 V ;无负载;
V
I
= V
DD
; f
SCL
= 0千赫; I / O =输入
无负载; V
I
= V
DD
或V
SS
—
—
—
—
–0.5
0.7V
DD
V
OL
= 0.4 V
V
I
= V
DD
= V
SS
V
I
= V
SS
3
–1
—
–0.5
2.0
V
OL
= 0.5 V; V
DD
= 2.3 V ;注2
V
OL
= 0.7 V; V
DD
= 2.3 V ;注2
I
O
OL
低电平输出电流
V
OL
= 0.5 V; V
DD
= 4.5 V ;注2
V
OL
= 0.7 V; V
DD
= 4.5 V ;注2
V
OL
= 0.5 V; V
DD
= 3.0 V ;注2
V
OL
= 0.7 V; V
DD
= 3.0 V ;注2
I
OH
= -8毫安; V
DD
= 2.3 V ;注3
I
OH
= -10毫安; V
DD
= 2.3 V ;注3
V
O
OH
高电平输出电压
I
OH
= -8毫安; V
DD
= 3.0 V ;注3
I
OH
= -10毫安; V
DD
= 3.0 V ;注3
I
OH
= -8毫安; V
DD
= 4.75 V ;注3
I
OH
= -10毫安; V
DD
= 4.75 V ;注3
I
IH
I
IL
C
I
C
O
I
OL
V
IL
V
IH
I
LI
输入漏电流
输入漏电流
输入电容
输出电容
低电平输出电流
低电平输入电压
高电平输入电压
输入漏电流
V
OL
= 0.4 V
V
DD
= 3.6 V; V
I
= V
DD
V
DD
= 5.5 V; V
I
= V
SS
8
10
8
10
8
10
1.8
1.7
2.6
2.5
4.1
4.0
—
—
—
—
3
–0.5
2.0
–1
典型值
—
104
550
0.25
1.5
—
—
—
—
6
—
—
10
13
17
24
14
19
—
—
—
—
—
—
—
—
3.7
3.7
—
—
—
—
最大
5.5
175
700
1
1.65
0.3V
DD
5.5
—
+1
10
0.8
5.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
–100
5
5
—
0.8
5.5
1
单位
V
A
A
A
V
V
V
mA
A
pF
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
pF
mA
V
V
A
上电复位电压（注1 ）
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输出电流
漏电流
输入电容
低电平输入电压
高电平输入电压
SCL输入;输入/输出的SDA
中断INT
选择输入A0 ， A1 ， A2
注意事项：
1. V
DD
必须以重置部分降低到0.2 V 。
2.每个I / O必须从外部限制在最多25毫安和设备必须被限制为100mA的最大电流。
3.源来自所有I的总电流/输出必须被限制到85毫安。
2004年09月30日
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