飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 0.3 V
分钟。
80
3
33
0.8
参数
条件
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PDTC144ES
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
500
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
价值
250
单位
K / W
从结点到环境的热阻注1
典型值。
1.2
1.6
47
1
马克斯。
100
1
50
90
150
0.8
61
1.2
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
pF
1998年5月19日
3
