飞利浦半导体
PDTC143X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 4.7 k ，R 2 = 10 k
6.热特性
表7：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
[1]
[2]
[3]
条件
在自由空气
[1]
[1] [2]
[1]
[2] [3]
[1]
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
833
500
500
500
250
500
625
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
7.特点
表8：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态电压输入
通态输入电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
A
V
CE
= 300 mV的;我
C
= 20毫安
民
-
-
-
-
50
-
-
2.5
3.3
1.7
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
4.7
2.1
-
最大
100
1
50
600
-
100
0.3
-
6.1
2.6
2.5
pF
mV
V
V
k
单位
nA
A
A
A
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
PDTC143X_SER_9
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牧师09 - 2005年7月26日
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