飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
PDTC114EU
手册， halfpage
10
3
MGM898
手册， halfpage
1
MGM897
的hFE
(2)
(1)
VCEsat晶体管
(V)
10
2
(3)
10
1
(1)
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MGM900
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
MGM899
六（关闭）
(V)
(V)
10
(1)
(2)
(3)
(1) (2) (3)
1
1
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1999年4月16日
4
