消除输入浪涌
意外的外部噪声和输出漏电流（例如，集电极电流I
C
）前面的一个晶体管的可能导致轻
发光光耦合器二极管（ LED）点亮身不由己。通常，一个电路（并联连接到所述发光二极管的电阻器）是
为了吸收这样的输入浪涌。为了防止光耦合器的故障，也能有效地插入一个电阻器（R
BE
）表示
增加基底和所述发射极之间的输入阈值电流（通过使用的输入 - 输出特性）
光电晶体管。在这种情况下，电流传输比（ CTR）的要低。 （为减少点击率见3.3 ）。
60
V
CE
= 5 V
(PS2601)
50
R
BE
=
8
集电极电流I
C
（MA ）
200 k
40
100 k
50 k
30
30 k
20
20 k
10 k
10
5 k
0
1
2
3
4 5
10
20
30 40 50
正向电流I
F
（MA ）
图2-9 。我
C
与我
F
特性（例）
应用高电压回路
集电极和PS2601光电耦合器的发射极之间的可承受电压为80伏（
最大
） 。使
光电耦合器提供给较高的承受电压，使用集电极 - 基极结的光电二极管作为光敏感元件和
连接高电压电路的光电耦合器的输出。在这种情况下，光电二极管的输出进行放大
因为它是比通常输出小。
图。 2-10示出了适用于高电压电路的光电耦合器的一个例子。在此示例电路，光电流（I
CBL
）的
光耦合器被供给到高压晶体管的基极和一个电流（I
F
）通过向前通过发光二极管
（ LED ） 。图。 2-11显示了我
CBL
与我
F
的特点。以前工作的额定值之外的应用
光电耦合器，通过联系CEL充分评估实际电路。
200
V
CB
= 100V
(PS2601)
I
F
I
CBL
100V
A
PS2601
集电极 - 基极的光电流我
CBL
(A)
100
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
1
HIGH- VOLTAGE
晶体管（T
r
)
CTR = 274 ％
CTR = 166 ％
I
CBL
图2-10 。应用到一个
高压电路
2
3 4 5
10
20
30 40 50
80
图2-11 。我
CBL
与我
F
特征
13
