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CY29FCT818T
电气特性
在整个工作范围
参数
描述
测试条件
分钟。
典型值。
[5]
马克斯。
单位
注意事项：
1， NA =不适用
2.除非另有说明，这些限制在工作自由空气的温度范围内。
3.未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
5，典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
6.此参数是特定网络版，但未经测试。
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效读数等参数的测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
文件编号： 38-00275 -B
描述
输入电容
输出电容
测试条件
典型值。
[5]
5
9
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源电流
静态电源电流
（ TTL输入高电平）
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
<0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ，女
1
= 0时，输出打开
[8]
典型值。
[5]
0.2
0.5
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
动态电源电流
[9]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一个输入切换， OE = GND ，
V
IN
<0.2V
或V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V
总电源电流
[10]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
f
0
= 10 MHz时，一位切换在f
1
= 5兆赫兹，
OE = GND ，V
IN
<0.2V
或V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
f
0
= 10 MHz时，一位切换在f
1
= 5兆赫兹，
OE = GND ，V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
f
0
= 10 MHz时， 8位寄存器，四个控件
切换，女
1
= 5 MHz时， OE = GND ，
V
IN
<0.2V
或V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
f
0
= 10 MHz时， 8位寄存器，四个控件
切换，女
1
= 5 MHz时， OE = GND ，
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
I
C
5.3
mA
7.3
mA
17.8
[11]
mA
30.8
[11]
mA
注意事项：
8.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
9.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
10. I
C
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
0
=输入信号的频率
f
1
N
1
=改变在f输入数
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
11.重视这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版，但未经测试。
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