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1CY 27C2 56
传真号： 3013
CY27C256
32K ×8位CMOS EPROM
特点
宽转速范围
- 45纳秒到200纳秒（商用和军用）
低功耗
- 248毫瓦（商业）
- 303毫瓦（军事）
低待机功耗
- 小于83毫瓦时取消
±10%
电源容限
能够在装备有擦除窗口CERDIP包
提供可重编程。当暴露于UV光，
EPROM的擦除和可重新编程。该MEM-
储器电池使用经过验证的EPROM浮栅技术，
字节宽的智能编程算法。
该CY27C256提供了更低的功耗和苏的优势
perior性能和编程的产量。在EPROM单元
只需要12.5V为超电压和低电流再
quirements允许团伙编程。在EPROM单元
允许每个存储单元进行测试的100％ ，因为每个
位置写入，擦除，并多次行使前
以封装。每个EPROM还测试了在AC perfor-
曼斯保证客户在编程后，对
产品满足直流和交流的技术指标。
读CY27C256是通过将活性来实现
在OE和CE LOW信号。该存储器位置的内容
由地址线寻址（A
0
- A
14
）将变得可用上
输出线（O
0
- O
7
).
功能说明
该CY27C256是一个高性能的32768个字由8位
CMOS EPROM 。当禁用（ CE HIGH ）时， CY27C256
自动断电进入低功率待机模式。
该CY27C256封装在工业标准的600密耳
DIP ， PLCC ，和TSOP封装。该CY27C256也可用
逻辑框图
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
掉电
O
1
COLUMN
地址
O
2
O
3
地址
解码器
O
4
ROW
地址
256 x 1024
可编程
ARRAY
8× 1的128
多路复用器
O
7
销刀豆网络gurations
DIP /扁平
O
6
V
PP
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
6 27C256 23
22
7
8
21
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
V
CC
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
27c256–2
LCC / PLCC
[1]
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
27C256
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
14151617 181920
O
5
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
O
7
O
6
27c256–3
O
0
CE
27c256–1
OE
注意：
1.对于PLCC只：引脚1和17是常见的，绑在模片固定垫。因此，他们必须是杜（不使用）的PLCC封装。
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1993年5月 - 修订1994年8月
