基美
应用笔记钽电容器
电容通常随温度变化
根据图2的曲线。
+20
+10
0
-10
-20
-80 -60 -40 -20
0 +20 +40 +60 +80 +100 +120
百分比在此计算中） 。另一个表达式，很少
ESR
应用，是“功率因数”或
功率因数COS U，
.
而DF则CTN ü 。
7.直流泄漏（ DCL ）
DC泄漏是受电压到一个更大的
程度，并且这种作用可经常有利地使用
在电路中只有非常低的漏电流可能的容
产生的。 DCL的施加电压的典型响应是illus-
trated在图4中。
1.0
电容值
直流泄漏电流倍增器
1.0
工作温度
°C
直流泄漏电流倍增器
图2中。
温度对电容典型作用
0.1
0.1
直流泄漏电流倍增器
6.损耗因数（ DF ）
DF的测量是在120赫兹和25℃下具有高达1伏
RMS的应用。需要注意的是，在任一操作中， AC峰值加
直流偏置必须不超过任一额定电压（通常为
偏光），或额定电压在相反方向上的15％
在25℃ 。测量电路是高阻抗，
然而，在这些条件下1伏均方根值可以是
甚至到6伏电容（ 23 ％峰值反向）与 - 应用
出一个直流偏置。直流偏置是这样，通常不使用，但
当在额定电压低于6伏，而交流信号的电平
超过0.3 VRMS 。然而， MIL -C - 39003提供了
到2.2伏直流。
耗散因子（DF）是一种有用的低频
测量电容器中的电阻性分量的。它是
不可避免的电阻与电容性电抗比
tance ，通常以百分比表示。 DF随
温度高于+ 25℃ ，并且还可以提高在较低的
温度。不幸的是， DF易拉罐一个总限额
不能对所有的电容/电压组合指定
也可以根据温度进行简单的说明。
目录下VAR-各系列产品一览DF限制
白条条件。
耗散因数的增加而增加frequen-
立方码作为将被从减少电容预期
电抗。 DF是不超过约一个非常有用的参数
1千赫。大电容的DF值增加
更快小于额定值。图3示出了
频率对DF典型效果。
20.0
0.01
0.01
0.0001
0.001
0
0
10
10
20
20
30
30
额定电压的百分比
温度 - °C
40
40
50
50
60
60
70
70
80
80
90
100 110
100 110
90
图4中。
DC泄漏的典型范围
应用电压的函数
直流漏电流（DCL ）的增加而增加
根据图5所示的典型曲线的温度。
10.0
参考1.0
在+ 25°C
1.0
120赫兹D. F.倍增
10.0
0.1
-60 -40 -20
0
+20 +40 +60 +80 +100 +125
1.0
100
工作温度-C
1K
10K
频率 - 赫兹
网络连接gure 3 。
频率在正常的影响
耗散因数
图5中。
温度的典型作用
在直流漏电流
直流偏置引起少量减少电容，同比增长
当全额定电压时，由于偏置约2％。 DF
还通过DC偏置的存在而降低。额定电压
可能引起的DF减少了约0.2 ％（例如，一个
降低为3.6 3.4 ％ DF ） 。
DF定义为
ESR
c
漏电流的测量是在额定电压
到+ 85℃，也可在+ 125 ℃下测得的
额定电压的2/3施加。
8.额定电压
这个术语指的是最大连续直流
工作电压容许在温度为+ 85 ℃或
下文。较低的操作温度被指定为
-55 ° C。工作超过+ 85°C是允许的，有
降低工作电压。典型工作电压reduc-
化是额定电压的2/3 ，在+ 125 ° C。
并且也被称为occa-
sionally ，如棕褐色d或“损耗角正切。 ” “质量
因子， “Q ，是DF （DF中不表达的倒数
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