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P L I M I N A R
待机模式
当系统没有读取或写入设备，
它可以将器件置于待机模式。在这
模式下，电流消耗大大减少，并且
输出被置于高阻抗状态，不知疲倦
下垂的OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃引脚均保持在V
CC
±
0.3 V.
（注意，这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
但内
V
CC
±
0.3 V时，该设备将处于待机状态，但
待机电流将更大。该设备要求
标准访问时间（t
CE
）进行读访问时，
设备是在这两种待机模式，它是前
准备读取数据。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
在DC特性表，我
CC3
我
CC4
表象
货物内待机电流规格。
SET ＃引脚被拉低了至少一个周期T
RP
中，
设备
立即终止
在任何操作
进步，所有的三态输出引脚，而忽略所有
阅读的RESET ＃持续时间/写命令
脉搏。该器件也复位内部状态马
茅根阅读阵列的数据。这是IN-操作
terrupted应该重新开始，一旦该设备已准备就绪
接受另一个命令序列，以确保数据的
诚信。
电流减小为的RESET ＃持续时间
脉搏。当RESET ＃保持在V
SS
± 0.3 V时，器件
平CMOS待机电流（I
CC4
） 。如果RESET ＃举行
在V
IL
但不是在V
SS
± 0.3 V时，备用电流的意志
更大。
在RESET ＃引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位将因此还重新设置闪光
存储器，使系统能够读取开机固件内
洁具从Flash存储器中。
如果RESET ＃是在一个程序断言或擦除OP-
关合作，所述RY / BY＃引脚保持为“0” （忙），直到
内部复位操作完成，这需要一个
时间t
准备
（在嵌入式算法） 。该
这样的系统可以监控RY / BY ＃确定
在复位操作是否完成。如果RESET ＃是
声称当编程或擦除操作不EX-
ecuting （ RY / BY＃引脚为“1”） ，在复位操作是
吨的时间内完成
准备
（而不是在嵌入
DED算法） 。该系统可以读取的数据吨
RH
后
在RESET ＃引脚返回到V
IH
.
请参考RESET＃纸张的交流特性表
rameters和图13的时序图。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。该设备自动盟友
使得当地址保持稳定为这种模式
t
加
+ 30纳秒。自动休眠模式是indepen-
凹陷的CE ＃ ， WE ＃和OE ＃控制信号。标
准地址访问时序提供了新的数据时，
地址被改变了。而在睡眠模式下，输出
数据被锁存并始终可用的系统。我
CC5
在DC特性表代表了自动
马蒂奇睡眠模式电流规范。
输出禁止模式
当OE ＃输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
ANCE状态。
RESET ＃ ：硬件复位引脚
在RESET ＃引脚提供了复位 - 硬件方法
婷设备读取阵列数据。当RE-
8
Am29LV004
