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P L I M I N A R
设备总线操作
本节介绍的要求和使用
设备总线操作，这是通过启动
内部命令寄存器。命令寄存器本身
不占用任何可寻址的内存位置。
该寄存器由存储的COM锁存器
mands ，随着地址和数据的信息
要执行的命令需要。的内容
寄存器作为输入，内部状态机。
状态机输出规定的功能
装置。表1列出了设备总线操作，在 -
看跌期权和它们需要的控制水平，以及由此而来
输出。以下小节介绍各
这些操作中的进一步的细节。
表1. Am29LV002设备总线操作
手术
读
写
待机
输出禁用
RESET
临时机构撤消
CE＃
L
L
V
CC
±
0.3 V
L
X
X
OE ＃
L
H
X
H
X
X
WE＃
H
L
X
H
X
X
RESET＃
H
H
V
CC
±
0.3 V
H
L
V
ID
地址
A
IN
A
IN
X
X
X
A
IN
DQ0–DQ7
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
图例：
L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 12.0
±
0.5 V，X =无关，A
IN
=地址，D
IN
=数据输入，D
OUT
=数据输出
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据，系统必须
驱动CE ＃和OE ＃引脚V
IL
。 CE＃为电源
控制和选择器件。 OE＃为输出CON-
控制和门阵列的数据输出引脚。 WE＃
应保持在V
IH
.
内部状态机设置为读取阵列数据
当设备加电时，或者经过一个硬件复位。这
确保了存储器CON-的无杂散变更
电源转换过程中出现的帐篷。没有命令
必要在该模式下，以获得阵列的数据。标准
微处理器读取周期的断言有效地址
在设备上的地址输入端上产生的有效数据
设备数据输出。该设备仍然启用
读访问，直到命令寄存器内容
改变。
见“读阵列数据”的详细信息。参考
在AC读操作表计时规范
tions和图12的定时波形图。我
CC1
in
DC特性表代表了活跃的电流
租规格读取阵列数据。
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。表2和表3表示的
每个扇区占据的地址空间。 A“部门AD-
礼服“由需要唯一的地址位
选择一个扇区。请参阅“命令定义”部分
上擦除扇区或整个芯片，或可持细节
挂起/恢复擦除操作。
系统后写自选命令SE-
quence ，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从接口读取自动选择码
纳尔寄存器（它是分开的存储器阵列）
在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本
模式。请参阅“自选模式”和“自选
命令序列“的详细信息部分。
I
CC2
在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。交流
特色部分包含时序规格TA-
统计局和时序图写操作。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅“写操作
状态“的详细信息，并以” AC Characteris-
抽动“的时序图。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（这在 -
cludes编程数据到设备和擦除
的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
Am29LV002
7
