CA3086
绝对最大额定值
下面评级适用于设备中的每个晶体管：
集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15V
集电极 - 基极电压，V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20V
集电极 - 衬底电压，V
CIO
（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .20V
发射极 - 基极电压，V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5V
集电极电流，I
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
130
不适用
最大功率耗散（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 。 。 。 .300mW
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.在CA3086各晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。基板（端子13）必须接
在外部电路中最负点至晶体管之间保持隔离，并为普通的晶体管动作。为了避免
晶体管之间的不希望的耦合，所述基板（端子13）应保持在DC或信号（AC）的地面。合适的
旁路电容器可以被用来建立一个信号接地。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
T
A
= 25
o
C，对于设备设计
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ）， CLO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
测试条件
l
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
CI
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
V
CE
= 10V ，我
B
= 0,
V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
民
20
15
20
5
-
-
40
典型值
60
24
60
7
0.002
（图2）
100
最大
-
-
-
-
100
5
-
单位
V
V
V
V
nA
A
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流（图1 ）
集电极截止电流（图2 ）
直流正向电流传输比（图3 ）
电气规格
参数
T
A
= 25
o
C，典型值仅供设计参考
符号
h
FE
V
CE
= 3V
测试条件
I
C
= 10毫安
I
C
= 10A
V
BE
V
CE
= 3V
I
E
= 1毫安
I
E
= 10毫安
典型
值
100
54
0.715
0.800
-1.9
0.23
3.25
V
V
毫伏/
o
C
V
dB
单位
直流正向电流传输比
（图3）
基极 - 发射极电压（图4）
V
BE
温度系数（图5）
集电极 - 发射极
饱和电压
噪声图（低频）
V
BE
/T
V
CE坐
NF
V
CE
= 3V ，L
C
= 1毫安
I
B
= 1mA时，我
C
= 10毫安
F = 1kHz时，V
CE
= 3V ，我
C
= 100A,
R
S
= 1k
2
