飞利浦半导体
产品数据
用一节锂离子电池保护
在/装载不足和过电流保护
SA57608
欠压条件
当电池电压低于过放电阈值时，
(V
UV1
） ，为V之间测量
CC
（脚5 ）和GND（引脚6） ，在栅极
放电MOSFET的（ DF ，引脚1）后变为低电平（ OFF）
内部时间延迟。该SA57608然后假定睡眠状态
其中，其I
CC
假定一个非常低的状态（我
CC （SLP）
）的栅极然后
带来高（ ON），在检测到充电电流时，或者当
VM端子（引脚2 ）变为0.7伏高于所述负极端子
的细胞（GND ，引脚6）时，或者当电池电压高于高
滞后电压（V
UV2
).
如果电池组正在充电，并且电池的电压超过
过电压阈值，则电荷的MOSFET被关断
（ FET朝向包的外部端子） 。该电池的电压必须
落在大于过压滞后电压低（Ⅴ
OV （ HYST ）
）前
电荷MOSFET被再次接通。
如果电池组放电和欠压
阈值（V
UV（日）
）超标，则放电MOSFET是
截止。它不会跑回来，直至某一充电器适用于
包的外部端子
和
细胞的电压上升到高于
欠压滞后电压（V
UV（ HYST ）
).
当电池组放电时，负载电流的原因
跨过放电MOSFET上的电压，以增加过去的
过电流阈值电压（V
OC （日）
） ，然后放
MOSFET是一个固定的7-18毫秒的延迟后关闭。如果短路
被放置在整个包的终端，则放电MOSFET的
一个100-300之后被关断
s
时间延迟，以避免损坏
的MOSFET。
放电过电流条件
如果放电过流条件是有经验看，当一个
短路经历电池两端，所述
SA57608意见高压MOSFET两端的
DS （ ON）
。如果这
电压超过阈值电压（V
SC
） ，所述排出门是
内部设定的时间后带到LOW状态（ OFF）
延迟超标。如果过电流是低，则吨
SC1
is
颁布。如果过电流较高时，所经历的硬
短路时，时间延迟小于400纳秒。这防止了
MOSFET的从一个FBSOA故障失败。
放电MOSFET的栅极再次接通，只有当
VM端子的电压允许下降0.7伏特的范围内
细胞（ GND ，引脚6 ）的负极。如果短路
仍然存在，则放电MOSFET的栅极被立即恢复
低电平（OFF）的再次直到短路条件被再次移除。
在V的R- C滤波器
CC
针
人们需要的地方的R-C滤波器在V
CC
引脚。它是主要
从在静电发生和尖峰屏蔽集成电路
的电池组的端子。次要需要的是在
发生在整个电池组的端子短路的。在这里，
锂离子电池的电压可能会崩溃，导致IC进入
无动力状态。对R-铯然后在第一个提供功率
该短路的瞬间，并允许将IC关闭排出
MOSFET。那么该IC可以进入无动力状态。最后，该
RC滤波器过滤所造成的嘈杂负载电流的任何噪声电压。
在图6所示的值是好用于这些目的。
应用信息
典型的单节锂离子或聚合物保护电路基础
经SA57608看出在图6中。
选择最佳的MOSFET ：
对于单节电池组，一个逻辑电平MOSFET应
使用。这些MOSFET都导通的0.9 V阈值，并
考虑全上，在4.5 V VGS 。有些问题可能是
在没有足够的栅极电压完全导通ON时遇到
串联MOSFET在电池组的整个工作电压。如果
人刻意选择一个N沟道MOSFET具有多少
更大的电流额定值，低级
DS （ ON）
在整个范围上可
获得。
这些MOSFET应该有一个额定电压高于20 V和
应具有较高的额定雪崩求生的任何尖峰
跨过电池组端子产生。
MOSFET的额定电流应大于四
倍的最大的“C -等级”的细胞。额定电流，
但是，更多的是由电池的总串联电阻定义
包。电池组的总电阻由公式2给出。
R
蝙蝠（ TOT ）
= R
DS （ ON）
+ R
CELL
（式2）
V+
100
0.01
F
0.1
F
4
锂离子电池
CELL
6
GND
C
DLY
5
V
CC
SA57608
2
VM
DF
1
CF
3
0.1
F
1 k
V–
放电
FET
收费
FET
SL01570
总包阻力通常是由系统确定的
要求。总包性直接决定了如何
会发生中的负载电流脉冲多的电压降。
另一个考虑因素是在正向偏置安全工作区
在MOSFET 。期间的短路，放电电流可以很容易地
达到10-15倍的“C -等级”的细胞。该MOSFET必须
生存该电流之前的放电MOSFET可以变
OFF 。所以有一个FBSOA信封超过20安培
5毫秒将是安全的。
图6.典型的保护电路
该SA57608驱动系列N沟道MOSFET，以国
由信元的电压和电池组的负载电流来确定。
在操作的正常期间，无论是放电和充电
MOSFET是在ON状态，从而允许双向电流
流动。
2003年10月29
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