飞利浦半导体
BUK7575-55A ; BUK7675-55A
的TrenchMOS 标准水平FET
8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
从漏极引线6毫米
包芯中心
从接触螺丝
安装基座到的中心
死SOT78
从漏极上缘
安装基座到的中心
死SOT404
L
s
内部源极电感
从源铅源
焊盘
V
DD
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
320
92
64
10
50
70
40
4.5
3.5
483
113
90
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
64
75
150
m
m
0.05
2
10
500
100
A
A
nA
2
1
3
4
4.4
V
V
V
55
50
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
2.5
nH
7.5
nH
9397 750 07696
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产品speci fi cation
牧师01 - 2000年12月8日
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