飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
逻辑电平
BT169W系列
1
P合计/ W
传导形式
角
因素
度
a
30
4
60
2.8
90
2.2
120
1.9
180
1.57
BT169W
TSP （最大值） / C
a = 1.57
1.9
2.2
110
10
ITSM / A
BT169
IT
我TSM
0.8
113
8
2.8
4
116
6
时间
T
TJ初始= 25℃最高
0.6
0.4
119
4
0.2
122
2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
IF （ AV ） / A
0.5
0.6
125
0.7
0
1
10
100
半周期在50Hz数
1000
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与
平均通态电流I
T（ AV ）
，其中a =形式
系数= I
T（ RMS ）
/ I
T（ AV ）
.
ITSM / A
BT169
图4 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
1000
2
IT （ RMS ） / A
BT134W
1.5
100
1
10
IT
T
我TSM
时间
0.5
TJ初始= 25℃最高
1
10us
100us
T / S
1ms
10ms
0
0.01
0.1
1
10
浪涌持续时间/秒
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
10ms.
BT134W
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
sp
≤
112C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
IT （ RMS ） / A
1.6
112 C
BT151
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
50
TSP / C
100
150
0
-50
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与焊点温度T
sp
.
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1997年9月
3
启1.200
