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AT45DB041B
图2中。
算法随机修改数据
开始
提供的地址
页面修改
主内存页
缓冲转让
(53H, 55H)
如果规划修改多个
当前字节存储在
闪存阵列的页
缓冲区写
(84H, 87H)
主存储器页编程
通过缓存
(82H, 85H)
缓冲区主
存储器页编程
(83H, 86H)
自动换页REWRITE
(58H, 59H)
(2)
增量PAGE
(2)
地址指针
结束
注意事项：
1.要保持数据的完整性，一个数据闪存部门的每一页都必须更新/内每1万改写至少一次
累计页擦除/编程操作。
2.页地址指针，必须保持以表明哪个页面将被改写。自动页重写命令
必须使用由页地址指针所指定的地址。
3.其他算法可以用来重写闪存阵列的部分。低功耗应用可能会选择等待，直到万
累计页擦除/编程操作改写部门的所有页面之前积累。请参阅应用笔记
AN- 4 （ “使用Atmel的串行数据闪存” ）了解更多详情。
扇区寻址
PA10
0
0
0
0
1
1
PA9
0
0
0
1
0
1
PA8
0
0
1
X
X
X
PA7
0
X
X
X
X
X
PA6
0
X
X
X
X
X
PA5
0
X
X
X
X
X
PA4
0
X
X
X
X
X
PA3
0
X
X
X
X
X
PA2 - PA0
X
X
X
X
X
X
扇形
0
1
2
3
4
5
27
1938F–DFLSH–10/02
