制造商/电话＃
产品型号
C2012X5R1A225K
C3216X5R1C475K
1206ZC225K
LMK212BJ225MG
LMK316BJ475ML
电容/
电压
2.2
F / 10V
4.7
F / 10V
2.2
F / 10V
2.2
F / 10V
4.7
F / 10V
最大ESR
@ 100kHz的
0.030
0.020
0.030
0.030
0.020
电容
尺寸/类型
0805 / X5R
1206 / X5R
1206 / X7R
0805 / X5R
1206 / X7R
初步信息
TDK / 847-803-6100
TDK / 847-803-6100
AVX / 843-448-9411
太阳诱电/ 847-925-0888
太阳诱电/ 847-925-0888
表2.建议低ESR Cermic表面贴装电容器。
示于图中的SP6681电路5作为一个
在3.3V至5V出来偏置两个5V逻辑
在使用步进电平N沟道MOSFET
降压DC / DC转换器。高强度电流
切换路径是从+ 3.3V总线通过
N型沟道MOSFET和电感器L1的
输出电容器。为了全面提升逻辑电
平N沟道MOSFET ， + 5V需要
从SP6681输出到SP6120 VCC管脚，
它提供了低侧MOSFET的MN1
与通过GL引脚0V至5V栅极脉冲。
3.3V
V
IN
为顶侧MOSFET MN2 （其具有
浮动偏置在BST销栅极驱动器） ，该
升压针BST是负责从0打气
到3.3V的开关在开关节点销SWN ，
与SP6681输出额外的5V ，
通过DBST二极管总共8.3V时的
该SWN为3.3V或5V共有来自门
源，以充分提高MOSFET MN2 。为
一个降压型的更详细的示意性的DC /
DC转换器，看到SP6120数据表。
DBST
+5V
OUT
2.2F
2.2F
VFB
1
2
3
CBST
BST
GH
SWN
GL
MN1
MN2
C
IN
VCC
SP6120
1.9V
1A至7A
V
OUT
CF1P
V
IN
CD4
Cx8
SP6681
CF2P
10
CF1N
9
GND
8
CF2N
CLK
7
6
保护地
2.2F
L1
RF
VOUT
C
OUT
RI
4.7F
4
5
在130kHz内部时钟
图5. SP6681电路的3.3V至5.0V升压为5V N沟道MOSFET的降压型DC / DC转换器电路。
冯：一个日期：零三年十一月二十○日
SP6681高效升压电荷泵稳压器
2002 Sipex的公司
8
