垫系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX垫系列
反向击穿电压
反向电容
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（ PAD）
连续功率耗散（J / SSTPAD ）
最大电流
正向电流（ PAD）
正向电流（J / SSTPAD ）
50mA
10mA
*阴极绑案
300mW
350mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
JPAD
TO-92
底部视图
A
1
3
PICO安培二极管
BV
R
≥
-30V
C
RSS
≤
2.0pF
PAD1,2,5
TO-72
底部视图
2
PAD *
TO-72
底部视图
2
K
K*
C
A
1
SSTPAD
SOT-23
顶视图
K
1
3
K
1
A
2
A
K
2
常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
R
V
F
C
RSS
特征
反向击穿
电压
正向电压
总的反向电容
PAD1,5
所有其他
ALL PAD
ALL SSTPAD
ALL JPAD
民
-45
-30
-35
0.8
0.5
1.5
1.5
0.8
2
pF
V
I
R
= -1A
I
F
= 5毫安
V
R
= -5V,
f
= 1MHz的
典型值
最大单位
条件
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
(SST/J)PAD1
(SST/J)PAD2
(SST/J)PAD5
I
R
最大反向
2
漏电流
(SST/J)PAD10
(SST/J)PAD20
(SST/J)PAD50
(SST/J)PAD100
(SST/J)PAD200
(SST/J)PAD500
PAD
2
-1
-2
-5
-10
-20
-50
-100
-5
-10
-20
-50
-100
-200
-500
-5
-10
-20
-50
pA
V
R
= -20V
JPAD
2
SSTPAD
2
单位
条件
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
