AD5232
参数
符号
条件
-3分贝， BW_10千欧， R = 10 kΩ的
V
A
= 1 V有效值，V
B
= 0 V ， F = 1 kHz时，
R
AB
= 10 k
V
A
= 1 V有效值，V
B
= 0 V ， F = 1 kHz时，
R
AB
= 50 k, 100 k
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V, V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
V
W
= 0.50 ％误差带， 00码
H
80
H
对于R
AB
= 10 k/50 k/100 k
R
WB
= 5kΩ的中，f = 1千赫
串扰（C
W1
/C
W2
) C
T
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V ，测量V
W
同
相邻的VR制作全量程编码变化
V
A1
= V
DD
, V
B1
= 0 V ，测量V
W1
随着V
W2
= 5 V P-P @ F = 10 kHz时，
CODE
1
= 80
H
;代码
2
= FF
H
20
10
1
10
5
5
40
50
50
0
10
4
0
0.1
10
50
70
100
100
0.15
25
民
典型值
1
500
0.022
0.045
最大单位
千赫
%
%
s
纳伏/赫兹÷
nV-s表示
动态特性
5, 9
带宽
总谐波失真
THD
W
THD
W
V
W
建立时间
电阻的噪声电压
t
S
e
N_WB
0.65/3/6
9
–5
模拟串扰（C
W1
/C
W2
)
C
TA
–70
dB
ns
ns
t
CYC
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CYC
ns
ms
ms
ns
ns
s
k个圈
岁月
接口时序特性 - 适用于所有零件
5, 10
时钟周期时间（T
CYC
)
t
1
CS
建立时间
t
2
CLK关机时间
CS
上升
t
3
输入时钟脉冲宽度
t
4
, t
5
时钟电平高或低
从积极CLK转型
数据建立时间
t
6
数据保持时间
t
7
从积极CLK转型
CS
到SDO -SPI线采集
t
8
CS
到SDO -SPI线发布
t
9
11
CLK到SDO传输延迟
t
10
R
P
= 2.2千欧，C
L
< 20 pF的
CLK为SDO数据保持时间
t
11
R
P
= 2.2千欧，C
L
< 20 pF的
t
12
CS
高脉冲宽度
12
CS
高
CS
高
12
t
13
RDY崛起
CS
秋天
t
14
CS
上升到RDY下降时间
t
15
13
读取/保存到非易失性EEMEM
t
16
适用于命令2
H
, 3
H
, 9
H
CS
上升到时钟的上升/下降设置
t
17
未显示在时序图
预置脉冲宽度（异步）
t
PRW
预置的响应时间RDY高t
PRESP
PR
低脉冲来刷新
滑动端位置
Flash / EE存储器可靠性的特点
耐力
14
数据保留
15
笔记
1
典型的参数代表平均读数在25℃和V
DD
= 5 V.
2
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差
志愿服务岗位。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。我
W
~ 50
A
@ V
DD
= 2.7 V和
I
W
~ 400
A
@ V
DD
= 5 V对于R
AB
= 10 kΩ的版本，我
W
~ 50
A
对于R
AB
= 50 kΩ和我
W
~ 25
A
对于R
AB
= 100 kΩ的版本。参见图13 。
3
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= V
SS
。 DNL
规格范围
±
1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。参见图14 。
4
电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。双电源供电使接地参考的双极性信号调整。
5
通过设计保证，不受生产测试。
6
共模漏电流是从任何终端A的量度的直流泄漏，B，W与V的共模偏置电平
DD
/2.
7
转移（ XFR ）模式下的电流是不连续的。电流消耗而EEMEM位置被读出并传送至RDAC寄存器。见TPC 9 。
8
P
DISS
从（我计算
DD
V
DD
) + (I
SS
V
SS
).
9
所有的动态特性采用V
DD
= + 2.5V和V
SS
= -2.5 V，除非另有说明。
10
看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定
R
= t
F
= 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和定时从一个电压电平
的1.5V。同时使用V开关特性进行测量
DD
= 3 V或5 V.
11
传播延迟取决于V的价值
DD
, R
PULL -UP
和C
L
。看到应用程序的文本。
12
有效的命令不激活RDY引脚。
13
RDY引脚为低电平仅供指令命令8 ， 9 ， 10 ， 2 ， 3，
PR
硬件脉冲： CMD_8 1毫秒; CMD_9,10 0.12毫秒; CMD_2,3 20毫秒。设备操作
在T
A
= -40°C和V
DD
< 3 V延长保存时间为35毫秒。
14
耐力是合格100,000次按照JEDEC标准。 22方法A117和V测
DD
= 2.7 V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，典型的续航能力，在25℃
70万次。
15
保持期限相当于在结温（T
J
） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于0.6EV的活化能保持期限
将与结温降额作为本数据手册的Flash / EE存储器描述部分，如图23所示。该AD5232包含9646
晶体管。芯片尺寸： 69万115万， 7993万平方米。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
第0版
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