2A高速MOSFET驱动器
TC1412
TC1412N
典型特征
（续）
上升时间与电源电压
C
负载
= 1800pF
70
60
50
70
60
50
1
下降时间与电源电压
C
负载
= 1800pF
2
3
40
30
T
秋天
（纳秒）
T
上升
（纳秒）
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
40
T
A
= 85°C
30
T
A
= 25°C
20
20
T
A
= –40°C
10
4
6
8
10
12
14
16
10
4
T
A
= –40°C
6
8
10
12
14
16
V
DD
（伏）
V
DD
（伏）
T
D1
传输延迟与电源电压
C
负载
= 1800pF
100
90
80
T
D2
传输延迟与电源电压
C
负载
= 1800pF
100
90
80
4
5
T
D1
（纳秒）
60
50
40
30
20
4
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
D2
（纳秒）
70
70
60
50
40
30
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= –40°C
T
A
= –40°C
6
8
10
12
14
16
20
4
6
8
10
12
14
16
V
DD
（伏）
V
DD
（伏）
6
7
上升和下降时间 - 容性负载
T
A
= 25 ° C，V
DD
= 16V
T
上升
T
秋天
传播延迟 - 容性负载
T
A
= 25 ° C，V
DD
= 16V
传播延迟（纳秒）
60
50
39
38
37
36
35
34
33
32
0
1000
2000
3000
4000
5000
T
上升
, T
秋天
（纳秒）
T
D2
40
30
20
10
0
T
D1
0
1000
2000
3000
4000
5000
C
负载
（PF ）
C
负载
（PF ）
4-199
8
TELCOM半导体，INC。的
