1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
典型特征
上升时间与电源电压
100
100
下降时间与电源电压
2200 pF的
80
2200 pF的
80
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
1500 pF的
TRISE （纳秒）
TFALL （纳秒）
1500 pF的
60
60
1000 pF的
40
1000 pF的
40
470 pF的
20
20
470 pF的
100 pF的
100 pF的
0
0
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
上升时间与容性负载
100
T
A
= 25°C
80
100
下降时间 - 容性负载
T
A
= 25°C
80
5V
5V
TRISE （纳秒）
60
10V
15V
TFALL （纳秒）
60
10V
15V
40
40
20
20
0
100
1000
CLOAD （PF ）
10,000
0
100
1000
CLOAD （PF ）
10,000
上升和下降时间与温度的关系
60
C加载= 1000 pF的
VDD = 17.5V
延迟时间（纳秒）
传输延迟与电源电压
60
吨D2
50
CLOAD = 1000 pF的
50
时间（纳秒）
40
40
T
A
= 25°C
tD1
30
TFALL
20
素养
30
20
10
–55 –35 –15
10
5
25 45 65 85
温度（℃）
105 125
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
4-248
TELCOM半导体，INC。的
