TIPL790 ， TIPL790A
NPN硅功率DARLINGTONS
1978年8月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
10000
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= -65°C
TCE785AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
6
TCE785AB
V
CE
= 5 V
h
FE
- 典型的直流电流增益
5
I
C
= 10 A
I
C
= 7 A
I
C
= 4 A
I
C
= 1 A
4
1000
3
2
1
100
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
0
10
1
10
I
B
- 基本电流 - 毫安
100
网络连接gure 3 。
图4中。
基射极饱和电压
vs
基极电流
2·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
I
C
= 10 A
I
C
= 7 A
I
C
= 4 A
I
C
= 1 A
TCE785AC
集电极截止电流
vs
外壳温度
10
TCE785AD
1·8
I
CES
- 集电极截止电流 - μA
1·0
TIPL790A
V
CE
= 200 V
0·1
TIPL790
V
CE
= 150 V
0·01
1·6
1·4
1·2
1·0
1·0
10
I
B
- 基本电流 - 毫安
100
0·001
-60
-30
0
30
60
90
120
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
图6 。
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4
