位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第543页 > TMS44400-70DJ > TMS44400-70DJ PDF资料 > TMS44400-70DJ PDF资料1第1页
TMS44400 ， TMS44400P ， TMS46400 ， TMS46400P
1048576 - WORD 4位
动态随机存取存储器
SMHS562C - 1995年5月 - 修订1996年11月
D
D
D
D
D
组织。 。 。 1 048 576
×
4
采用5 V单电源的TMS44400 / P
（±10％容限）
采用3.3 V单电源的TMS46400 / P
（±10％容限）
低功耗（ TMS46400P只）
200 μA CMOS待机
200 μA自刷新
300 μA扩展刷新电池
BACKUP
性能范围：
ACCESS ACCESS ACCESS
读
时间
时间
TIME或写
（ TRAC ） （ TCAC ）
（TAA）
周期
（最大）
（最大）
（最大）
（分钟）
60纳秒
15纳秒
30纳秒
110纳秒
70纳秒
18纳秒
35纳秒
130纳秒
80纳秒
20纳秒
40纳秒
150纳秒
DGA包装
（顶视图）
DJ包装
（顶视图）
DQ1
DQ2
W
RAS
A9
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
18
17
16
15
14
V
SS
DQ4
DQ3
CAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
DQ1
DQ2
W
RAS
A9
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
18
17
16
15
14
V
SS
DQ4
DQ3
CAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
D
D
D
D
D
增强的分页模式操作更快
内存访问
CAS先于RAS （ CBR ）刷新
龙刷新周期
在16毫秒1024周期刷新
128 ms（最大值）的低功耗，
自刷新版本（ TMS4x400P ）
三态输出虚掩
德州仪器EPIC CMOS制程
A0 – A9
CAS
DQ1 DQ4
OE
RAS
VCC
VSS
W
地址输入
列地址选通
DATA IN
OUTPUT ENABLE
行地址选通
5 V或3.3 V电源
地
写使能
D
工作自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
描述
可选项
该TMS4x400系列是一套高速，
自刷新
4 194 304位的动态随机存取存储器
动力
刷新
电池
设备
供应
周期
（ DRAM的） ，组织为1 048 576字四
BACKUP
每个位。该TMS4x400P系列是一组
TMS44400
5V
—
1024在16毫秒
高速，
低功耗，
自刷新
同
TMS44400P
5V
是的
1024在128毫秒
扩展刷新，
4 194 304位
的DRAM ，
TMS46400
3.3 V
—
1024在16毫秒
组织为1 048 576字每4位。
TMS46400P
3.3 V
是的
1024在128毫秒
这两个系列采用先进设备，最先进的增强
性能
植入
CMOS
（ EPIC
)
技术对高性能，高可靠性，并
低功耗。
这些器件具有60 ns的， 70纳秒，和80 ns（最大值） RAS访问时间。所有地址和数据在线路
锁存芯片，简化了系统设计。数据输出是虚掩的提高了系统的灵活性。
该TMS4x400和TMS4x400P提供了二十六分之二十零引脚塑料小外形（ TSOP ）封装（后缀DGA ）
和一个300万26分之20引脚塑料表面贴装封装SOJ （ DJ后缀） 。这两种封装的特点为
操作从0℃至70℃。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
EPIC是德州仪器的商标。
预告信息涉及新产品的采样或
开发试制阶段。特征数据和其他
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版权
1996年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
超前信息
’4x400/P-60
’4x400/P-70
’4x400/P-80
PIN NOMENCLATURE
