TMS55165 ， TMS55166 ， TMS55175 ， TMS55176
262144除以16位的多端口视频RAM
SMVS463 - 1995年12月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织：
DRAM ： 262 144字
×
16位
SAM ： 256个字
×
16位
单5.0 V电源（ ± 10 ％ ）
双端口可访问性 - 同时和
异步访问从DRAM和
串行地址存储器（ SAM ）端口
写每个位功能的选择性写入
在DRAM的每个I / O
字节写入功能的选择性写入
低字节（ DQ0 - DQ7 ）或高字节
在DRAM端口（ DQ8- DQ15 ）
4 - 列或8 - 柱座 - 写
功能可进行快速区 - 填充操作
为了更快访问增强页面模式
与扩展 - 数据输出（ EDO ）选项
为更快的系统循环时间
CAS先于RAS （ CBR）和隐藏
刷新功能
龙刷新周期 - 每8毫秒
（最大）
全 - 注册纪录传递函数转会
从DRAM数据的串行寄存器
D
D
D
D
D
D
D
D
D
分寄存器传输功能转移
从DRAM的数据的一半
串行寄存器中，而另一半则是
允许输出数据到SAM端口
256可选串行寄存器启动
要点
可编程拆分注册停点
高达55 MHz的不间断串行数据
流
三态串行输出，便于复用
视频数据流的
所有的输入/输出和TTL时钟
兼容
兼容JEDEC标准
设计工作与得克萨斯
仪器（ TI ）显卡系列
制作采用TI的增强型
性能注入CMOS （ EPIC ）
过程
性能范围
存取时间
行启用
TRAC
（最大）
- 60速度
- 70速度
60纳秒
70纳秒
存取时间
串行数据
TSCA
（分钟）
15纳秒
20纳秒
DRAM PAGE
周期
TPC
（分钟）
35纳秒
40纳秒
EDO DRAM
周期
TPC
（分钟）
30纳秒
30纳秒
串行
周期
TSCC
（分钟）
18纳秒
22纳秒
工作电流
串行端口备用
lCC1
（最大）
180毫安
165毫安
表1.设备选项表
设备
55165
55166
55175
55176
电源电压
5.0 V
±
0.5 V
5.0 V
±
0.5 V
5.0 V
±
0.5 V
5.0 V
±
0.5 V
BLOCK- WRITE CAPABILITY
4 -column
4 -column
8 - 列
8 - 列
PAGE / EDO操作
页面
EDO
页面
EDO
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
TI和EPIC是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
