www.ti.com
TPS54373
SLVS455A - 2003年1月 - 修订2003年6月
和高侧FET不打开。低边FET
一直保持到VSENSE电压减小到一个
范围，允许PWM比较器改变状态。
该TPS54373能够吸收电流的持续
直到输出达到稳压设置点。
如果时间超过100 ns的电流限制比较器翻转，
PWM锁存器复位PWM斜坡超过前
误差放大器的输出。高侧FET关闭，
低侧FET导通，以减少能源输出
电感器，从而所述输出电流。这
过程被重复每个周期，其中电流限制
比较器跳闸。
高边MOSFET在200纳秒关闭
在达到限流阈值。一个100 ns的前沿
消隐电路可以防止电流限制误触发。
发生限流检测，只有当来自电流流
采购的输出滤波电流时， VIN为pH值。负载
电流吸收器的操作过程中保护是由设置
热关断。
热关断
该设备采用了热关机，关闭电源
MOSFET和禁用控制器，如果结
温度超过150 ℃。该装置从释放
关机时，结温自动
降低到10 ℃以下的热关断触发点，
而在慢启动电路的控制启动。
热关断时提供保护过载
状态持续几毫秒。有
持久性故障时，连续的设备循环;
通过软启动电路的控制启动时，加热，由于
到故障状态，然后关闭时
达到热关断触发点。这个顺序
反复进行，直到故障排除为止。
死区时间控制和MOSFET
DRIVERS
自适应死区时间控制能够防止直通
从流过这两个N沟道功率MOSFET的电流
在开关转换，积极控制
MOSFET驱动器的turnon次。高侧驱动器
不导通，直到电压在低侧栅极
FET低于2 V.虽然低侧驱动器不转
上，直到在高侧MOSFET的栅极上的电压
低于2 V.
高侧和低侧驱动器都设计有
300 - mA的供应和吸收能力，迅速推动
功率MOSFET栅极。的低侧驱动器被提供
从VIN ，而高侧驱动器从所提供的
BOOT引脚。自举电路使用一个外部引导
电容和内部2.5 Ω自举开关
连接在VIN和BOOT引脚。该
集成的自举开关提高了传动效率，
减少了外部元件数量。
电源就绪（ PWRGD ）
根据电压的电源良好电路监测
在VSENSE条件。如果在VSENSE的电压为10％
低于参考电压时，漏极开路PWRGD
输出被拉低。 PWRGD也被拉低，如果VIN是
低于UVLO阈值或SS / ENA为低，或
热关断发生。当VIN
≥
UVLO门限，
SS / ENA
≥
启用阈值和VSENSE第五> 90 ％
REF
,
该PWRGD引脚的开漏输出为高电平。一
滞后电压等于V 3％
REF
和一个35
s
落下
边缘抗尖峰脉冲电路，防止跳闸的电源良好
比较由于高频噪声。
过电流保护
在逐周期电流限制是通过检测来实现
流经高压侧MOSFET的电流和
比较该信号与预先设定的过电流阈值。
13
