TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416A - 2002年2月 - 2003年7月
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4.7价值观
H
10
H
是典型的和可得自
几家厂商。由此产生的设计具有良好的噪声
和纹波特性，以及卓越的瞬态
反应。瞬态恢复时间通常在
为10 20范围内
s.
PWM控制
来自误差放大器的信号输出端，振荡器和
电流限制电路由PWM控制处理
逻辑。参照该内部框图，该控制
逻辑包括PWM比较器，或门， PWM锁存器，
和自适应死区时间控制逻辑部分
块。在电流低于稳态操作
极限阈值时， PWM比较器输出和振荡器
脉冲串交替复位，并设置PWM锁存器。一旦
PWM锁存器置位，则低侧FET保持在一
最小持续时间由振荡器的脉冲持续时间设定。
在此期间， PWM斜坡快速放电到
谷值电压。当斜坡开始充电备份，
低边FET关断和高侧FET导通。如
PWM斜坡电压超过误差放大器的输出
电压时，PWM比较器复位锁存器，从而
关闭高侧FET和接通低边
FET 。低边FET保持开启，直到下一个振荡
脉冲放电PWM斜坡。
在瞬态条件下，误差放大器的输出
可能是下面的PWM斜坡谷值电压以上
PWM峰值电压。如果误差放大器是高时，PWM
闩从不复位和高侧FET保持打开直到
所述振荡器的脉冲信号的控制逻辑，以把
高侧FET关断和低侧FET导通。该装置
工作在它的最大占空比，直到输出电压
上升到法规设定点，设定为VSENSE
大致相同的电压为V
REF
。如果误差
放大器的输出是低电平时，PWM锁存器被不断地重新设置
和高侧FET不打开。低边FET
一直保持到VSENSE电压减小到一个
范围，允许PWM比较器改变状态。
该TPS54311 - 16能够吸收电流的
持续直到输出达到稳压
设定点。
如果时间超过100 ns的电流限制比较器翻转，
PWM锁存器复位PWM斜坡超过前
误差放大器的输出。高侧FET关闭，
低侧FET导通，以减少能源输出
电感器，从而所述输出电流。这
过程被重复每个周期，其中电流限制
比较器跳闸。
导通的MOSFET驱动的次数。高侧驱动器
不导通，直到在栅极驱动电压到低侧
FET低于2 V的低侧驱动器无法开启，直到
在高侧MOSFET的栅极上的电压低于
2 V的高侧和低侧驱动器都设计有
300 - mA的供应和吸收能力，迅速推动
功率MOSFET栅极。的低侧驱动器被提供
从VIN ，而高侧驱动器从所提供的
BOOT引脚。自举电路使用一个外部引导
电容和内部2.5 Ω自举开关
连接在VIN和BOOT引脚。该
集成的自举开关提高了传动效率，
减少了外部元件数量。
过电流保护
由周期电流的周期限制是通过感应来实现
流经高压侧MOSFET的电流和
差分放大器和比较它与预先设定的
过流阈值。高边MOSFET导通
关内200纳秒达到限流阈值。一
100 ns的前沿消隐电路可以防止假
跳闸电流限制。电流限制检测时
只有当采购时，电流从VIN至PH
到输出滤波电流。在电流负载保护
沉操作是通过热关断提供。
热关断
该设备采用了热关机，关闭电源
MOSFET和禁用控制器，如果结
温度超过150 ℃。该装置从释放
关断时的结温度降低到
10 ℃以下的热关断跳闸点和启动
在慢启动电路的控制。热关断
提供保护，当过载状况是
持续几毫秒。与永久性故障
条件下，不断的循环装置;通过启动
软启动电路的控制下，由于该故障升温，
然后关闭在达到热
停机点。
电源良好（ PWRGD ）
根据电压的电源良好电路监测
在VSENSE条件。如果在VSENSE的电压为10％
低于参考电压时，漏极开路PWRGD
输出被拉低。 PWRGD也被拉低，如果VIN是
低于UVLO阈值，或SS / ENA为低，或
热关断是断言。当VIN
=
UVLO
阈值， SS / ENA
=
启用阈值和VSENSE >
90 ％的V
REF
时，PWRGD引脚的开漏输出
高。滞后电压等于V的3 ％
REF
和35微秒
下降沿抗尖峰脉冲电路，防止跳闸的力量
比较好，由于高频率的噪音。
死区时间控制和MOSFET驱动器
自适应死区时间控制能够防止直通
从流过这两个N沟道功率MOSFET的电流
在开关转换，积极控制
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