TPS5130
SLVS426 - 2002年5月
www.ti.com
布局指南
护理时给予适当的设计和布局好的电源结果才会发生。布局噪音影响
皮卡和生成，并可能导致一个好的设计，以低于预期的结果执行。射程
从毫安到几十安培的电流，好的电源布局是比最普通的要困难得多
PCB设计。一般的设计必须从交换节点到输出端，然后再返回到驾驶员
部，最后，平行的低层的组件。下面是具体点的布局之前，需要考虑
的TPS5130设计开始。
D
四层PCB设计，建议使用TPS5130设计。对于EVM的设计中，顶层
包含互连到TPS5130 ，再加上一些附加的信号迹线。二层正全力投入
到接地平面。三层有一些信号线。底部层是几乎专门ANAGND ，并
剩下的其它信号路径。
D
所有敏感的模拟元件，如INV ，楼盘， CT ， GND ， FLT和SS_STBY应参考
到ANAGND 。
D
理想情况下，所有直接的TPS5130芯片下的面积也应ANAGND 。
D
ANAGND和DRVGND应隔离尽可能与之间的单点连接
他们。
C
旅
旅
VIN_SENSE
VREF5
LH
OUT_u
INV
FB
软启动
C
OUT
OUT_D
OUTGND
LDO_IN
LDO_CUR
FLT
LDO_GATE
INV_LDO
LDO_OUT
LL
C
BS
C
BP
C
IN
VIN
VOX
ANAGND
CT
GND
REF
DRVGND
VoxGND
Vo_LDO
图18. PCB图
低边MOSFET （S ）
D
的低侧MOSFET （多个）源应参考DRVGND ，否则ANAGND是受
输出的噪声。
D
DRVGND应连接到主接地平面靠近低侧MOSFET的源极。
D
OUTGND应放置在靠近低侧MOSFET （ S）的来源。
D
肖特基二极管的阳极，所述返回的高频旁路电容器的MOSFET ，并且
低侧MOSFET （多个）迹线的源应一起排到尽可能接近。
22
