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TPS5130
SLVS426 - 2002年5月
欠压保护
欠压比较器电路持续监控在INV和INV_LDO引脚上的电压。如果
电压在任一引脚低于65 ％的0.85 V基准电压源，计时器开始到FLT电容充电。如果
故障状态持续超过时间t
（ uvplatch ）
时，故障锁存器置位和两个高侧和低侧
驱动器和LDO稳压器驱动程序强制关闭。
短路保护
所述短路保护电路使用的UVP电路锁存MOSFET驱动器。当电流限制
电路限制输出电流，则输出电压低于目标输出电压和UVP
比较器检测到上述故障状态。
过压保护
过电压比较器电路持续监控在INV和INV_LDO引脚上的电压。如果电压
在任一引脚高于的0.85 V基准112 ％ ，计时器开始到FLT电容充电。如果故障
状态持续超过时间t
（ ovplatch ）
，故障锁存器被置高侧驱动器被强制关闭，而
低边驱动器被强制开启，和LDO稳压器驱动程序强制关闭。
注意事项：
不要设置FLT终端到较低的电压（或GND ），同时该设备超时的OVP和UVP
事件。如果FLT终端在此期间手动设置到一个较低的电压时，输出过冲可能
发生。该TPS5130必须接地SS_STBYx和STBY_LDO ，或在下降重置
REG5V_IN.
保护功能残废
如果有必要抑制TPS5130的保护功能，用于故障诊断或其他目的，该
OCP ， OVP ， UVP以及电路可能会被禁用。
D
OCP （ SBRC ） ：删除当前限制电阻R17 ， R23和R24禁用限流功能。
D
OCP （ LDO ） ：短路R21禁用限流功能。
D
OVP ， UVP ：接地FLT终端可以禁用OVP和UVP 。
LDO稳压器应用信息
输出电容的选择
为了保持LDO的稳定运行，超过33电容
F
和R
（ ESR）的
超过30毫欧的
推荐的输出电容。
功率MOSFET选择
另外，为了保持LDO的稳定运行，较低的输入电容被推荐用于将外部电源
MOSFET。然而，输入电容太小可能导致反馈环路处于不稳定区域。
在这种情况下，为数百欧姆的栅极电阻器保持在稳定的状态使LDO操作。
电流保护
如果过量的输出电流流过检测电阻（ R21）和电压降超过50毫伏，则输出
电压降低到标称值的大约22 ％，从而激活UVP启动FLT闩锁定时器。
当设定的电流为3A， R 21的值是16.7毫欧。
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