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TPS5130
SLVS426 - 2002年5月
过电流保护
过流保护（OCP） ，通过比较高侧和低侧MOSFET的漏极 - 源极电压达到
到一个设定点电压，这是由内部电流源既定义，我
（ TRIP ）
和连接的外部电阻
在VIN_SENSEx和TRIPx引脚之间。我
（ TRIP ）
有13典型值
A
在25℃ 。当漏极 - 源极
电压超过在低侧导的设定点电压，高侧电流比较器被激活，并且
低侧脉冲被扩展直到这个电压又回到阈值以下。如果设定点电压在超过
在下面的循环高压侧导通时，电流限制电路终止该高边驱动脉冲。总之这个动作
具有减小输出电压，直到欠电压保护电路动作，锁存器两者的作用
高侧和低侧驱动器关闭。在TPS5130 ，跳闸电流I
（ TRIP ）
有3400 ppm的温度系数/ °下在
命令来补偿的导通电阻的MOSFET的温度漂移。
OCP的LDO
实现LDO的电流限制，感测电阻器必须放置在串联的N沟道MOSFET的漏极，连接
之间的LDO_IN和LDO_CUR引脚（见参考原理图） 。如果过这个检测电阻上的电压降超过
50毫伏时，输出电压降低到标称值的大约22 ％，从而它激活UVP启动FLT
锁存定时器。当时间一到， LDO_GATE引脚被拉低，以使LDO稳压器关闭。注意，所有的
该SBRCs的锁存关在同一时间，因为在LDO和SBRCs共享相同FLT电容器。
过电压保护
过电压保护（ OVP ） ，将TPS5130监控INVx和INV_LDO引脚电压。当INVx或INV_LDO
引脚电压低于0.95 V（ 0.85 V + 12 ％ ）越高， OVP比较器的输出变低， FLT计时器开始充电
一个外部电容连接到FLT引脚。过了设定的时间时， FLT电路锁定的高边MOSFET驱动器，该
低边MOSFET驱动器，和LDO 。每个块的锁定状态被总结在表2中的定时器源电流
对于OVP锁存器125
μA （典型值） ，
和时电压为1.185 V（典型值） 。过压保护定时器被设计成50倍的速度
比在表2中描述的欠电压保护定时器。
表2. OVP逻辑
OVP发生在
SBRC
LDO
高边MOSFET驱动器
关闭
关闭
低侧MOSFET驱动器
ON
关闭
LDO
关闭
关闭
欠压保护
对于欠电压保护（ UVP ） ，将TPS5130监控INVx和INV_LDO引脚电压。当INVx或
INV_LDO引脚电压低于0.55 V低（ 0.85 V - 35 ％ ） ，在UVP比较器的输出变低，而FLT定时器启动
连接到FLT引脚上的外部电容进行充电。此外，当电流比较触发所述OCP的UVP
比较器检测到低电压的输出，并启动FLT电容器充电，过。过了设定的时间时， FLT电路的锁存器
所有的MOSFET驱动到OFF状态。定时器锁存器的电流源UVP为2.3
A
（典型值） ，和所述时间后的电压
也是1.185 V（典型值） 。当调整管两端的电压不足的LDO控制器的UVP功能被禁用
超过0.23 V（典型值） 。
FLT
当OVP或UVP比较器的输出变为低电平时， FLT电路开始对FLT电容器充电。如果FLT引脚电压
超越了一个恒定的水平， TPS5130锁存MOSFET驱动器。此时， MOSFET的状态是不同的
根据OVP警报和UVP警报（见表2）。用于锁存MOSFET驱动器的使能时间是决定
由FLT电容器的值。充电恒流值取决于它是否是一个过压保护警报或UVP
提醒在下面的等式如下所示：
FLT源电流（ OVP ） = FLT源电流（ UVP ）
×
50
11
