TS80C51RA2/RD2
TS83C51RB2/RC2/RD2
TS87C51RB2/RC2/RD2
编程周期
A0-A12
D0-D7
DATA IN
数据输出
读/校验周期
100s
ALE / PROG
12.75V
5V
0V
EA / VPP
控制显
的NAL
图19.编程和验证信号的波形
8.4 。 EPROM擦除（窗口封装专用）
擦除EPROM擦除码阵列，该阵列的加密和锁定位的部分返回到全
功能。
叶擦除所有的EPROM单元在1的状态（ FF ） 。
8.4.1 。擦除特性
推荐的擦除过程是暴露于紫外光（ 2537埃）到集成剂量的至少15
W-秒/厘米
2
。露出的EPROM 12000紫外灯
μW /厘米
2
等级30分钟后，在距离
约25毫米，就足够了。 1小时的曝光，建议与大多数标准橡皮擦。
对EPROM的擦除开始时，芯片被暴露于光以波长比大约缩短到发生
4000 。由于阳光和荧光灯具有的波长在这一范围内，暴露于这些光源
在延长的时间（约1周中的阳光，或3年房间级荧光灯）可导致
无意擦除。如果一个应用程序受试者的装置，这种类型的接触，故建议不透明
标签被放置在该窗口。
版本C - 2001年3月6日
55
