TS80C51RA2/RD2
TS83C51RB2/RC2/RD2
TS87C51RB2/RC2/RD2
6.3 。扩展存储器（ XRAM ）
该TS80C51Rx2提供随机确定存取存储器（ RAM）空间增加数据的额外字节
参数处理和高级语言的使用。
RA2 ， RB2和RC2器件具有256字节扩展RAM ，从00H到FFH的外部数据空间;
RD2器件具有768字节扩展RAM ，从00H外部数据空间2FFH 。
该TS80C51Rx2具有映射为四个独立的段的内部数据存储器。
这四个扇形部分是：
1.低128字节的RAM （地址从00H到7FH）可直接或间接寻址。
2，高位128字节的RAM（地址从80H到FFH ）只能间接寻址。
3.特殊功能寄存器，特殊功能寄存器（地址80H到FFH ）只能直接寻址。
4.扩展RAM字节通过MOVX指令间接访问，并与EXTRAM
位清零的AUXR寄存器。 （见表5）。
低128字节可用直接或间接寻址方式访问。高128字节可
只有通过间接寻址访问。高位128字节的RAM占用相同的地址空间作为SFR 。那
意味着他们有相同的地址，但与SFR的空间在物理上分离。
当一个指令访问地址高于7FH的内部位置时， CPU知道的访问是
于上部128字节的数据RAM或在指令中使用的寻址方式来SFR空间。
使用直接寻址访问SFR空间的指令。
例如： MOV 0A0H ， ＃数据
，访问SFR
在位置0A0H （即P2） 。
使用间接寻址访问高位128字节的数据RAM的指令。
例如： MOV @ R0 ，
＃数据
其中， R0内容为0A0H ，访问数据字节地址0A0H ，而不是P2 （地址为0A0H ） 。
256或768字节XRAM可以通过间接寻址，用EXTRAM访问位清零和MOVX
指令。这部分的存储器，它在物理上位于芯片上，逻辑上占据第一256或768
字节的外部数据存储器。
随着EXTRAM = 0时，XRAM间接寻址，用MOVX指令与任何
寄存器R0 ，所选择的银行或DPTR的R1 。
对XRAM的访问不会影响P0，P2口， P3.6
（ WR ）和P3.7 （ RD ） 。例如，用EXTRAM = 0， MOVX @ R0， ＃数据
其中， R0内容为0A0H ，
访问XRAM地址为0A0H ，而不是外部存储器。外部数据存贮器的访问
比FFH （即0100H到FFFFH ）高（比2FFH高（即0300H到FFFFH的RD设备）将
以相同的方式作为标准80C51的MOVX DPTR的指令进行的，所以与P0和P2的
作为数据/地址总线， P3.6和P3.7和作为写入和读出时序信号。请参考图。对于RD设备，
访问从100H扩展内存来2FFH只能做由于使用DPTR的。
随着EXTRAM = 1 ， MOVX @Ri和MOVX @DPTR将类似于标准80C51 。 MOVX @日
将提供复用的端口0和任何输出端口引脚数据的8位地址可用于输出
高阶地址位。这是提供外部分页功能。 MOVX @ DPTR将产生
16位地址。端口2输出的高阶8位地址（DPH的内容），而P0的复
低位8位地址（ DPL）的数据。 MOVX @日和MOVX @DPTR会产生两种阅读
或写在P3.6 （ WR ）和P3.7 （ RD ）信号。
堆栈指针（SP）中的256个字节的RAM （下限和上限RAM）的内部可以位于任何地方
数据存储器。堆栈，不得设在XRAM 。
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版本C - 2001年3月6日
