初步
TSC5304D
高压NPN晶体管，二极管
引脚分配：
1.基地
2.收集
3.辐射源
BV
首席执行官
= 400V
BV
CBO
= 750V
IC = 4A
V
CE （SAT）
， = 1.2V @ IC / IB = 4A / 1A
特点
内置续流二极管，使高效抗
饱和运算。
无需关注，因为低变量的值HFE
存储时间传播，即使后起之秀的精神产品。
低基数的驱动器要求。
适用于半桥镇流器应用。
订购信息
产品型号
TSC5304DCH
TSC5304DCP
填料
管
T&R
包
TO-251
TO-252
框图
结构
硅三重扩散型。
与二极管NPN硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
DC
脉冲
基极电流
DC
脉冲
总功率耗散（ TC = 25
o
C)
工作结温
工作结存储温度范围
热阻结到外壳
热阻结到环境
注： 1，单脉冲， PW = 300US ，职务< = 2 ％
P
D
T
J
T
英镑
RθJC
RΘJA
I
B
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
极限
750V
400V
10
4
8
1.5
4
35
+150
- 65 + 150
6
90
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
o
o
C
C
C / W
C / W
TS5304D初步
1-1
2004/09转。一
