TSM2312
20V N沟道增强型MOSFET
引脚分配：
1.门
2.源
3.排水
V
DS
= 20V
R
DS （ ON）
， V GS @ 4.5V ， IDS @ 5.0A = 33mΩ
R
DS （ ON）
， V GS @ 2.5V ， IDS @ 4.0A = 40MΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
优异的热性能和电气性能
紧凑，薄型SOT- 23封装
框图
订购信息
产品型号
TSM2312CX
填料
磁带&卷轴
包
SOT-23
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
除非另有说明）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
TA = 25
o
C
TA = 75
o
C
P
D
极限
20V
±8
5
15
1.25
0.8
单位
V
V
A
A
W
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
+150
- 55 + 150
o
o
C
C
热性能
参数
（从案例1/8“ ）焊接温度
结到环境热阻（PCB安装）
注：表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
T
L
R
θJA
极限
5
100
单位
S
o
C / W
TSM2312
1-1
2003/12转。一
